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请教关于可控硅的问题

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楼主
allayhbb|  楼主 | 2011-4-26 09:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
大家好!
     我以前看过可控硅的资料,资料上说,如果加在可控硅两端的电压 大于VDRM/VRRM时, 可控硅会自行导通。
     但我问了下同事,他们都说可控硅两端的电压 大于VDRM/VRRM,可控硅会烧坏?
    不知道哪个正确,有没有了做过实验。谢谢!

    就拿Z0103MN来说,他的VDRM/VRRM 为600 TO 800V,  可控硅两端的电压 大于VDRM/VRRM时,会怎么样,请教下

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沙发
maychang| | 2011-4-26 10:42 | 只看该作者
Z0103MN是双向晶闸管。
普通晶闸管(单向)正向施加高于晶闸管能够承受的电压,晶闸管会自行导通,但未必会烧坏。是否烧坏,要看晶闸管导通后电路中是否流过超过晶闸管允许值的电流。如果电路中为正常负载(未短路)则不会烧坏。反向电压施加在普通晶闸管上并超过允许值,则一定烧坏。
双向晶闸管两个方向上均可自行导通,如果负载正常(电流不超过允许值),自行导通后不会烧坏。

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