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中文daytasheet-QDRII burst4

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Go_PSoC|  楼主 | 2011-4-26 16:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 Go_PSoC 于 2011-5-5 21:13 编辑

cypress有很多产品已经有中文datasheet(隆重推出:CY中文datasheet大全 https://bbs.21ic.com/viewthread.php?tid=231186),计划把以前没有发过的近期给大家总结一下,本贴为QDRII
沙发
Go_PSoC|  楼主 | 2011-4-26 16:37 | 只看该作者
CY7C1511KV18、CY7C1526KV18、CY7C1513KV18、CY7C1515KV18


72 Mb QDR® II SRAM 4 字突发架构
特性
  • 分立的独立读和写数据端口
    • 支持并发事务处理
  • 333 MHz 时钟实现高带宽
  • 4 字突发降低地址总线频率
  • 读和写端口上均为双数据速率 (DDR) 接口
    (数据传输速率 666 MHz),工作频率 333 MHz
  • 两个输入时钟(K 和 K)用于精确 DDR 定时
    • SRAM 仅使用上升沿
  • 两个输入时钟用于输出数据(C 和 C),以将时钟偏移和飞行时间的不匹配降至最低
  • 回波时钟(CQ 和 CQ)简化高速系统中的数据采集
  • 如需更多信息,请参阅 PDF 文档
功能描述
CY7C1511KV18、CY7C1526KV18、CY7C1513KV18 和 CY7C1515KV18 为采用 QDR II 结构的 1.8 V 同步流水线 SRAM。QDR II 架构包含两个分立的端口:即用于访问内存阵列的读端口和写端口。读端口有专用的数据输出来支持读操作,写端口则有专用的数据输入来支持写操作。

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Go_PSoC|  楼主 | 2011-4-26 16:37 | 只看该作者
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CY7C1511KV18, CY7C1526KV18, CY7C1513KV18, CY7C1515KV18 001-60595.pdf

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