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中文daytasheet-QDRII+

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Go_PSoC|  楼主 | 2011-4-26 16:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
cypress有很多产品已经有中文datasheet(隆重推出:CY中文datasheet大全 https://bbs.21ic.com/viewthread.php?tid=231186),计划把以前没有发过的近期给大家总结一下,本贴为QDRII+
沙发
Go_PSoC|  楼主 | 2011-4-26 16:42 | 只看该作者
CY7C1561KV18、CY7C1565KV18、CY7C1576KV18

最近更新:
2011 年 04 月 15 日
版本:*L


72 Mbit QDR® II SRAM 4 字突发结构( 周期读延迟)
特性
  • 分立的独立读和写数据端口
    • 支持并发事务处理
  • 550 MHz 时钟实现高带宽
  • 4 字突发降低地址总线频率
  • 读和写端口上均为双数据速率 (DDR) 接口
    (数据传输速率 1100 MHz),工作频率 550 MHz
  • 可提供 2.5 时钟周期延迟
  • 两个输入时钟(K 和 K)用于精确 DDR 定时
    • SRAM 仅使用上升沿
  • 回波时钟(CQ 和 CQ)简化高速系统中的数据采集
  • 如需更多信息,请参阅 PDF 文档
功能描述
CY7C1561KV18、CY7C1576KV18 和 CY7C1565KV18 为采用 QDR II 结构的 1.8V 同步流水线 SRAM 。与 DDR II 结构类似,QDR II 结构也包含两个分立的端口:即用于访问内存阵列的读端口和写端口。读端口有专用的数据输出来支持读操作,写端口则有专用的数据输入来支持写操作。

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Go_PSoC|  楼主 | 2011-4-26 16:50 | 只看该作者
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CY7C1561KV18、CY7C1565KV18、CY7C1576KV18 001-634421.pdf

346.24 KB

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