本帖最后由 mmax 于 2011-4-28 17:44 编辑
最近在看半导体方面的书,想到一个有趣的问题,不知道谁能一下子回答上来。
一个独立的pn结,中间会有一个耗尽层,耗尽层内部会有由n指向p的电场
在耗尽层两端会形成Vbi,即内建电势。内建电势是存在的,硅材料的大概在0.7V。
(如果一个二极管要正向导通的话,必须外加一个电压V,跟Vbi方向相反,大小相等才会正向导通)
问题来了:既然内建电势是客观存在的,那么一个孤立的二极管,用万用表电压档量np之间的电压,是不是可以量出0.7V来,即量出内建电压?
哈哈~ |