势垒电容和扩散电容的问题

只看该作者 · 2011-4-29 13:43

”势垒电容是多数载流子的电荷变化的一种电容效应，而扩散电容是少数载流子的电荷变化的一种电容效应。因此势垒电容不管在高频还是低频都将起作用，而扩散电容是在高频不起作用“ 这句话对吗？怎样理解？高频低频与它的容抗有关吧？似乎与这没关吧？不解，求解答

2万 · 2011-4-29 14:15

re LZ:

“势垒电容”和普通的介质电容无本质差异，可以按一般电容看待。“扩散电容”则不同，它是由电荷扩散至对面区域，部分复合部分以少子形式存在。“扩散电容”的主要机制是电荷储存（复合部分），而复合和产生过程并不遵循一般的电容规律。其实，“扩散电容”只是一个等效类比，因此其频率特性和通常的电容有着较大的差异。

只看该作者 · 2011-4-29 15:13

我有一点不觉得，我觉得扩散电容的产生是由于多子扩散，剩余的少子来构成扩散电容，因为我认为外部电压变化时，P区的电子，和N区的空穴都会发生变化，比如对于N区，如果外部的正向电压增大，则要维护更大的电流，则N区的空穴也会增大（因为扩散加快），从而负极的电子就有更多的补充N区的空穴，从而形成更大的电流，因而扩散电容是由于外部电压变化，少子的变化等效出来的。势垒电容的原理也是一样的。不知怎样是否是对的？这是我的想法，但还有一点，书上说“二极管的最高工作频率往往决定于势垒电容。扩散电容由于是少子电荷变化产生的，因而对高频不起作用”这句话怎么理解，还有二极管使用于高频，判断的条件是什么？费解啊

2万 · 2011-4-29 16:24

本帖最后由 HWM 于 2011-4-29 16:26 编辑

to 3L:

“扩散电容”由于和电荷储存（复合和产生）有直接关系，而电荷储存又和PN的正向偏置有关。因此，“扩散电容”和二级管的正向电流相关。此外，复合和生成需要较大的能量交换，所以显见，只有较大正向偏置和较长注入和抽出时间才会明显地增大“扩散电容”。高频下，一般正向偏置和周期都较小，所以“扩散电容”不太显著。另外，如果PN处在反向偏置时，“扩散电容”也基本消失。

高频二级管，通常具有较小的结面积。此外，为了减小耗尽层宽度，还采用金属-半导体结构。这样使得其电荷存储效应更小，更适合高频大电流的场合使用。

只看该作者 · 2011-4-29 21:58

to 4L
”扩散电容“和正向偏置有关，这我能理解，因为我觉得只有在正向偏置下，正向偏置的变化才会产生电流的变化，从而才会有电荷的存储形成电容。“只有较大正向偏置和较长注入和抽出时间才会明显地增大“扩散电容”这句话我不是很赞同。因为我觉得扩散电容的产生是由于外加正向电压的变化，造成电荷的积累和释放，从而形成电容效应的。所以我觉得高频下，也不是由于正向偏置较小，因而扩散电容不大显著

势垒电容和扩散电容的问题

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