3525驱动问题

只看该作者 · 2011-5-3 20:56

本帖最后由 gengpan 于 2011-5-3 20:58 编辑

我用3525做了一个半桥电路的驱动电源，不知道为什么输出端子的驱动波形很差，听说需要加二极管进行零电平钳位，哪位能给我原理和具体图吗？

3万 · 2011-5-3 21:18

先把你的电原理图贴上来。

只看该作者 · 2011-5-3 21:52

本帖最后由 gengpan 于 2011-5-3 21:54 编辑

不好意思，刚刚忘记贴了。这是电路图，输出端通过电阻接半桥的两个MOS了

3万 · 2011-5-3 23:00

SG3525使用变压器驱动半桥，3525的两输出端应该接二极管到地。
不过，你的电路中为什么变压器初级串联电阻？似乎没有必要。

只看该作者 · 2011-5-4 08:46

本帖最后由 gengpan 于 2011-5-4 08:47 编辑

初级如果不加电阻会产生过流啊，3525最大输出电流有限制的。
输出端加二极管的原因是什么呢？是两个输出端都加吗？

3万 · 2011-5-4 09:42

电路及变压器设计正确就不会过流。
加二极管是为了死区时间内释放变压器励磁电感储能。两个输出端都要加，需要注意方向，否则造成电源短路。

只看该作者 · 2011-5-4 10:12

过流和变压器设计是什么关系呢？我设计的变压器原端励磁电感是1.6mH，串联的电阻是51ohm。二极管是按下边图加的，一个方向的台阶小了很多，可是还是有一个方向有台阶

3万 · 2011-5-4 11:10

7楼：
我在4楼说的是“3525的两输出端应该接二极管到地”。

只看该作者 · 2011-5-4 11:21

还不是很理解，:L
如果接地的目的是为了释放电感存储的能量，接的这两个位置效果是一样的啊。
而且从理论分析，也只有在负半段，也就是电压低于零的时候二极管才会导通，这样的确是只能消除一边的台阶，而另一边是没有办法的呀。chang大哥，能再解释详细一点吗？

3万 · 2011-5-4 11:28

9楼：
怎么会一样呢？你把变压器初级当成电源(这就是变压器释放励磁电感储存能量)，看看两个方向上(按你的接法)电流流过的途径是否一样。一个方向上经过你的电阻，另一个方向上没有经过电阻。

只看该作者 · 2011-5-4 11:38

10楼：
电流流通还是需要回路呀，不论从哪个方向看总是要经过电阻的。
能解释一下两个方向的具体电流回路吗？是否需要流过３５２５内部的推挽电路呢？

3万 · 2011-5-4 11:49

11楼：
就不许经过接地的二极管而不经过电阻？
当然要经过3525内部，注意死区时间内3525两输出端均为低，即3525内部推挽电路两支位于下面的三极管均导通。

只看该作者 · 2011-5-4 12:00

这下了解了，等下去试试，谢谢楼上的了

3万 · 2011-5-4 12:21

13楼：
记着去掉电阻。
即使一定要加个电阻，也应该加在半桥的两支MOS管门极上。

只看该作者 · 2011-5-4 12:27

如果去掉电阻会不会产生过流呢？这时要怎么计算3525的输出电流呢？

3万 · 2011-5-4 12:44

15楼：
3525输出电流平均值应该根据MOS管输入电容(包括米勒电容)和开关工作频率计算。
每次开关MOS管需要多少电量，datasheet中一般都有注明。

只看该作者 · 2011-5-4 13:08

是否就是开关损耗呢？变压器原边根据开关损耗和3525输入电压计算电流吗？能提供个具体计算方法吗？

3万 · 2011-5-4 13:21

17楼：
不是开关损耗。开关损耗一般指功率MOS管导通和关断过程中工作于线性区域时的损耗。

只看该作者 · 2011-5-4 13:35

那是什么呢？
能否对这部分计算做一个详细说明呢？比如我选择45kHz的开关频率，励磁电感量为1.6mH，MOS的总门级电荷为58nC，输入电容为2600pF。这时计算3525输出电流怎么计算呢？如果包括电阻会有什么影响呢？

3万 · 2011-5-4 14:23

19楼：
MOS管开通需要58nC电量，时间是11.1us(半个周期)，平均电流还算不出来？
半桥是两支开关管，上面计算的平均电流当然应该乘以2，换算到初级还要考虑变压器匝比。
这样计算的是平均电流，峰值电流比此值大得多。不过，芯片也允许比较大的峰值电流，3525允许达500mA峰值电流，建议控制峰值电流在400mA以下。此数值一般靠变压器漏感和绕组电阻控制就够了，如果不放心，可以在每个MOS管门极加个小电阻。

3525驱动问题

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