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4N33 饱和的问题

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dolin_wu|  楼主 | 2011-5-13 14:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 dolin_wu 于 2011-5-13 14:39 编辑

最近在弄光耦,做了一个小电路 其中输入端IF=7.8个MA,资料上说CTR大概在500%,光耦饱和压降为0.9V,继电器线圈电阻R>(12-0.9)/7.8*5=284欧姆都可以饱和,但事实上我用的继电器如上图只有150欧姆,光耦任然工作在饱和状态下,请教下各位,是我那个地方没理解到位!谢谢!

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沙发
chunyang| | 2011-5-14 01:38 | 只看该作者
不能用光耦直接驱动继电器,需要外加晶体管才行。

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dolin_wu|  楼主 | 2011-5-14 09:30 | 只看该作者
本帖最后由 chunyang 于 2011-5-14 23:18 编辑

2# chunyang 用达林顿的光耦也不行吗? 只要电流输出能达到要求为什么不能啊?请指教?

光耦的内部晶体管载流能力有限,从可靠性角度讲这么设计不合适,4N33的额定载流能力是50mA,而继电器的工作电流已不止这个数了。

不好意思点错位置了。

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地板
NE5532| | 2011-5-14 10:16 | 只看该作者
请问你到底遇到了什么问题?什么现象?

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dolin_wu|  楼主 | 2011-5-14 10:22 | 只看该作者
4# NE5532 我的问题是 :光耦的E段加的电阻要大于284欧姆才可以饱和,为什么我加在E端的继电器电阻只有150欧光耦也饱和了?

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NE5532| | 2011-5-14 10:31 | 只看该作者
请问你用什么来判断光耦饱和的?

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NE5532| | 2011-5-14 10:56 | 只看该作者
饱和不是这样算的,饱和的定义是“集电极电流不再随基极电流的增大而增大”,饱和以后继续增大基极电流,饱和CE压降会下降,进入深度饱和。从IC最大电流上看,这个光耦大于你继电器的电流,这时候你应该研究两个问题,管功耗是否满足要求,饱和压降能否接受。

功耗自己去算,饱和压降建议搞清数据手册后面的归一化饱和压降的提法,然后来判断。

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lirunze| | 2011-5-14 16:49 | 只看该作者
学习了

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9
chunyang| | 2011-5-14 23:18 | 只看该作者
2# chunyang 用达林顿的光耦也不行吗? 只要电流输出能达到要求为什么不能啊?请指教?
dolin_wu 发表于 2011-5-14 09:30



光耦的内部晶体管载流能力有限,从可靠性角度讲这么设计不合适,4N33的额定载流能力是50mA,而继电器的工作电流已不止这个数。

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10
dolin_wu|  楼主 | 2011-5-15 18:36 | 只看该作者
9# chunyang


4N33 IC最大是100MA,功耗是150mw,我继电器是12v   155欧的,应该没对大问题吧?载流能力好像没你说的那么弱吧?

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yslin_1985| | 2011-5-15 20:49 | 只看该作者
to:LS
在数据手册里面,有一项Ic(CTR),最小50(500)mA,我认为就是chunyang大师说的额定载流能力50mA。在设计时,你不能用它的最大值,只能按照最小值设计,因为器件本身有离散型,厂家只保证所有4E33能满足50mA以上的载流能力,如果你用到大于50mA时,会有问题的。比如:生产了100块板子,不能正常工作的有30块。
至于你提到的“光耦的E段加的电阻要大于284欧姆才可以饱和,为什么我加在E端的继电器电阻只有150欧光耦也饱和了?”,NE5532回答的很有见地,能扩展到所有的光耦设计,甚至三极管设计,如果你有疑问,还可以继续问他。你所说的150欧姆饱和,想来应该指的是能驱动吧,这只是个个例,就是他的电流传输比已经大于500%了,你使用了光耦的裕量部分。换句话说,可能你用的这个光耦可以使用,但换一个就可能不行了。
一句话概括,你目前的问题是属于设计裕量的问题。
以上,仅供参考。

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chunyang| | 2011-5-15 23:44 | 只看该作者
楼上说的不错,楼主将极限值当作额定值了,长期工作是不行的,额定值是保证器件参数和寿命的正常工作数值,极限值则是短期内可耐受的数值,二者的定义是不同的。

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13
djt2677| | 2011-5-16 07:53 | 只看该作者
这个很好

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dolin_wu|  楼主 | 2011-5-16 09:10 | 只看该作者
11# yslin_1985

很高兴你的回复,对于你说的要按额定值来计算我非常赞同,但是对你说的“有一项Ic(CTR),最小50(500)mA,我认为就是chunyang大师说的额定载流能力50mA。在设计时,你不能用它的最大值,只能按照最小值设计,因为器件本身有离散型”
我还存在一些疑问:

      IC最小为50ma,资料上对应的条件是IF=10MA,VCE=10v,因为光耦是工作在饱和条件下的,所以让光耦饱和的条件就是IC<最小的(IF*CTR)即可,而最小的IF*CTR在IF=10ma是对应的即为50ma,也就是IC<50ma,即可计算出电阻值,最后需要综合考虑的是最后在饱和时候IC上的电流和功耗不能超过最大的Ic电流和集电极的功耗。所以我的理解是只要在饱和时候IC电流小于50ma(IF=10MA),功耗不超过最大集电极功耗,这个光耦都可以带,不知道我这样理解对不对?

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yslin_1985| | 2011-5-16 12:34 | 只看该作者
我认为可以这么理解!
就是你的负载要注意,如果是感性负载的话,比如继电器线圈,有可能吸合电流比较大,你不要用的太满,还是要留一定的裕量。

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zjy.zz| | 2011-6-18 14:17 | 只看该作者
光藕的驱动电流恐怕不够吧,最好加一级驱动

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jy1975jy1975| | 2011-8-2 18:53 | 只看该作者
呵呵,都是高手,学习了

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