mos管问题求救。

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 楼主| userchen 发表于 2007-10-8 15:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
<br />如图所示。负载是一个50w的电机。&nbsp;K1、K2&nbsp;和&nbsp;K3、K4&nbsp;是驱动器上限位开关。电路功能只是简单的换向,没有调速。在批量时,出现了烧管子的情况:主要是P管烧坏,一半是出现GS烧通。还有DS烧通,&nbsp;还有就是GDS烧通。&nbsp;mos管装有散热片。<br />谢谢。。。<br /> 相关链接:<a href='https://bbs.21ic.com/upfiles/img/200710/200710815651655.jpg'>https://bbs.21ic.com/upfiles/img/200710/200710815651655.jpg</a>
123654789 发表于 2007-10-8 15:14 | 显示全部楼层

麻烦 楼主 能否去掉 网格 么??

疑点<br /><br />1&nbsp;.&nbsp;哪个反向&nbsp;续流二极管&nbsp;应该用&nbsp;&nbsp;快恢复管,不是用&nbsp;稳压二极管<br /><br />2&nbsp;.&nbsp;好象&nbsp;缺乏&nbsp;续流二极管&nbsp;&nbsp;&nbsp;快恢复管&nbsp;啊?
 楼主| userchen 发表于 2007-10-8 15:20 | 显示全部楼层

不知道怎么修改

不知道怎么修改阿。。。
 楼主| userchen 发表于 2007-10-8 15:23 | 显示全部楼层

重新贴下。

重新贴下。
 楼主| userchen 发表于 2007-10-8 15:39 | 显示全部楼层

谢谢

谢谢。。<br />那个稳压管是8v2的,是想把Vgs限制在8.2v<br />续流二级管,mos管内部不是都有的么?
awey 发表于 2007-10-8 15:44 | 显示全部楼层

MOS管内部的二极管呢?

可能:<br />1、装配时的静电击穿<br />2、软件问题<br />3、单片机受干扰,程序跑飞
123654789 发表于 2007-10-8 15:45 | 显示全部楼层

哪个 是多少伏 的稳压二极管 ??

  
dadodo 发表于 2007-10-8 16:00 | 显示全部楼层

换向

换向时单片机程序是如何控制的?
 楼主| userchen 发表于 2007-10-8 16:37 | 显示全部楼层

多谢

多谢阿<br />to&nbsp;&nbsp;awey&nbsp;:静电击穿不可能,因为是转配好后,使用过程中出现;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;软件问题,我不敢肯定没问题<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;程序跑飞,可能性很小。<br />to&nbsp;&nbsp;123654789&nbsp;:是8.2v的稳压管<br />to&nbsp;&nbsp;dadodo&nbsp;:换向时是先全关断,然后再继续控制。中间的延时大概只有10个us,可能太小。<br />&nbsp;<br />&nbsp;但是现在问题集中在非换向期间。<br />谢谢。
boy4477 发表于 2007-10-8 16:43 | 显示全部楼层

看电路问题不大

用示波器抓吧,看有机会抓到烧毁时的波形再看。
davidli88 发表于 2007-10-8 16:46 | 显示全部楼层

烧管子发生在什么情况下?

  
 楼主| userchen 发表于 2007-10-8 17:10 | 显示全部楼层

回复 boy4477 davidli88

谢谢。<br />随机的。。<br />不是每个都这样。批量老化时少量发生这样的情况。
赤铸 发表于 2007-10-8 18:02 | 显示全部楼层

一个可能的问题:MOS 管栅极的驱动

1.&nbsp;k1,k2,k3,k4&nbsp;没连,也没有时序,&nbsp;无法判断会不会上下直通<br />2.&nbsp;MOS&nbsp;管栅极驱动能力不足,&nbsp;NMOS&nbsp;导通和PMOS&nbsp;断开靠&nbsp;10k&nbsp;电阻上拉,PMOS&nbsp;导通也经过&nbsp;3k&nbsp;电阻。大功率MOSFET&nbsp;Cgs大约1nF(稳压管的结电容可能更大),时间常数至少&nbsp;10us&nbsp;量级,考虑电荷注入会更长,管子开关时间长,功耗大
 楼主| userchen 发表于 2007-10-8 19:54 | 显示全部楼层

to:赤铸

谢谢;<br />&nbsp;K1、K2&nbsp;和&nbsp;K3、K4&nbsp;是驱动器上限位开关,正常情况下是分别连通的。<br />电路功能只是换向和停止,没有PWM调速,没有频繁的开关mos管。<br />而且GS烧通情况较多。<br />
awey 发表于 2007-10-8 21:03 | 显示全部楼层

MOS管驱动不足,而换向时间又太短(10uS)

造成了桥路的共同导通
judge 发表于 2007-10-8 23:40 | 显示全部楼层

最好是四通道的示波器抓栅极波行。

看MOS管的指标50W是足够。&nbsp;最好软件多查查。&nbsp;&nbsp;最好是上桥导通稳定后再导通下桥.
 楼主| userchen 发表于 2007-10-9 11:43 | 显示全部楼层

产品都批量了阿。。

郁闷呢。。<br />
赤铸 发表于 2007-10-9 14:12 | 显示全部楼层

那看来是 awey 说的原因

H&nbsp;桥的一个基本原则就是上下管子不能同时导通,这你应该知道<br />顺着这个原则检查一下时序吧<br /><br />至于管子的哪两极烧通,我没研究过,似乎不一定就是这两极的问题造成的。<br />烧成黑糊糊了,哪两极都可能通,也都可能断。<br /><br />MOSFET&nbsp;的&nbsp;VGS&nbsp;一般最大可到±20V,用了8.2V稳压管,不应该超过。<br />
liao_43 发表于 2007-10-9 15:07 | 显示全部楼层

8.2v的稳压小了一点,用12V的稳压比较好。

  
 楼主| userchen 发表于 2007-10-9 16:04 | 显示全部楼层

就是想不通,

就是想不通,如果是上下管子同时导通的话,为什么会使GS导通,而不是DS呢。。。<br />谢谢
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