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转:英飞凌低压MOS管的选型经验分享(附资料)

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dreamic|  楼主 | 2011-5-19 10:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
很多年轻工程师对分立器件应用上的很多问题,最近部门邀请英飞凌的技术做了个内部培训,相信很多不熟悉电源设计的朋友都有类似的问题,这里摘录部分与大家分享(摘录同事整理的资料,有出入的地方请指点。欢迎大家多分享点MOS管使用经验):
1. 导通电阻
对大部份的应用而言,导通时所造成的导通损耗占整体MOSFET损耗的大部份,因此各家厂商均想办法降低MOSFET的导通电阻。MOSFET的最低导通电阻从1996 年的12mΩ降到今天的1mΩ以下。目前,英飞凌公司最新一代25V/30V的OptiMOS MOSFET最低额定导通电阻为1mΩ,如此低的导通电阻大幅地减少了导通损耗,提高了应用电路的功率密度。(在低电压功率晶体管中,封装电阻在整体导通电阻中所占比例较大,因此英飞凌最新的几款MOSFET主要以CanPAK、SuperSO8和S308新型封装为主,效率达93%以上,满负载>90%)。

2 高速切换/低切换损耗及驱动损耗
栅极电荷为造成切换损耗及驱重损耗之主要成因。较低的栅极驱动损耗,可以使得驱动电路的负载降低约30%以上。而且较快的切换还可以改善EMI。英飞凌新一代25V/30V的MOS管切换的上升下降时间均不低于5纳秒。
3 高效能
业界常用优质系数(Figure Of MeritFOM)(FOM=RDSON×Qg)以导通电阻与栅极电荷的乘积值做为比较,可以客观的角度来评估MOSFET性能的优劣。在导通电阻相同的情况下,英飞凌号称全新OptiMOS 25V/30V器件的栅极电荷,比采用最接近的沟槽工艺制造的器件低35%,而其输出电荷比最佳的横向MOSFET器件低一半。
4 高功率/低热阻
MOSFET所能承受的最大功率损耗,是由硅片的接触面到外壳间的热阻所决定的,因此要达到高功率并减少导通电阻的目的,除了改良开发新的MOSFET 或工艺技术外,封装的方式亦扮演着重要的角色。英飞凌主流的封装方式为Super SO-8CanPAKT相对传统的SO-8封装大幅减少热阻,并减少在焊接点及接触点的电阻外,进而降低等效导通电阻和组件本身的寄生电感。

英飞凌低压MOSFET技术.pdf (1.43 MB)

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沙发
通行无阻| | 2011-5-20 11:43 | 只看该作者
多谢分享

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板凳
system_c| | 2011-5-23 10:17 | 只看该作者
英飞凌的最新OptiMOS MOS管信息网上似乎很少

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地板
dreamic|  楼主 | 2011-5-24 11:23 | 只看该作者
对 很少关于optimos的讨论
再补充有关它的封装的知识:
SuperSO8封装
最佳化的封装设计,达到高功率密度系统设计要求;小型化封装
低封装电阻
低封装电感

S3O8封装
最高功率密度封装

CanPAK
双层散热封装,易于散热;提高系统效率;功率晶体管的高速切换及高频操作;易于并联使用;极低之封装电感值;极低之封装电阻值;极佳的优质化系数表现

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5
imag| | 2011-5-25 10:15 | 只看该作者
学习了 不过也要看具体场合具体应用 慢慢积累经验 期待更多大牛的分享。

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6
1024| | 2011-5-26 14:57 | 只看该作者
英飞凌的功率器件确实很赞!帮顶了

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7
特利科技| | 2011-5-30 11:50 | 只看该作者
楼主是哪家公司的?很有面子啊 英飞凌上门授业 哈哈!

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8
lightness| | 2011-5-31 14:15 | 只看该作者
谢谢分享 学习了

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9
zhufdf| | 2011-6-1 08:50 | 只看该作者
:)

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10
磐正李工| | 2011-6-1 10:20 | 只看该作者
英飞凌的coolmos用得比较多 学习了

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11
pennychen| | 2011-6-2 15:59 | 只看该作者
谢谢分享 楼主辛苦了

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12
hpzax| | 2011-8-2 15:12 | 只看该作者
多谢分享

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13
nan65219025| | 2011-8-26 22:37 | 只看该作者
感谢楼主分享

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14
gxy198715a| | 2011-9-29 10:45 | 只看该作者
谢谢楼主了

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