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应广双核心单片机P221CS18

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P221 系列
〓带ADC、LCD 控制
采用FPPATM技术双核心8 位单片机
1. 单片机特点
1.1 高性能RISC CPU 架构
内置2 个FPPATM处理单元
1Kx16 bits OTP 程序存储器
64 Bytes 数据存储器
提供95 条指令
除间接寻址模式外的所有指令都是单周期(1T)指令
跳转指令是单周期指令
弹性化的堆栈深度,可程序设定
提供数据与指令的直接、间接寻址模式
提供位(Bit)处理指令
所有的数据存储器都可当数据指针(index pointer)
程序代码保护功能
独立的IO 地址以及存储地址,方便程序开发
1.2 系统功能
时钟源:内部高频RC 振荡器、内部低頻RC 振荡器、外部晶振、外部RC 振荡器、外部时钟输入
内置低温飘的高频RC 振荡器 (IHR C)
内置上电复位和5 级低电压检测器(LVD)以确保可工作的电压
内置一个硬件16 位计数器
内置一个4 通道8 位分辨率 A/D 转换器
内置VDD/2 偏置电压产生器供液晶显示应用
最多提供4x11 点LCD 显示
15 个IO 引脚以及1 个输入引脚
工作频率 (晶振模式和内置高频RC 振荡模式)
DC ~ [email=16MHz@VDD≧4V]16MHz@VDD≧4V[/email]   DC ~ [email=8MHz@VDD≧3V]8MHz@VDD≧3V[/email]
DC ~ [email=4MHz@VDD≧2.5V]4MHz@VDD≧2.5V[/email]  DC ~ [email=1MHz@VDD≧2.2V]1MHz@VDD≧2.2V[/email]
工作电压:2.2V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 85°C

低功耗特性:
Ioperating ~ [email=1.2mA@1MIPS]1.2mA@1MIPS[/email], VDD=5.0V;  Ioperating ~ 10uA@ ILRC & VDD=3.3V
Istandby ~ [email=0.7uA@VDD=5.0V]0.7uA@VDD=5.0V[/email];     I standby ~ [email=0.3uA@VDD=3.3V]0.3uA@VDD=3.3V[/email]

封装类型:  
P221CS18: SOP18 (300mil)
P221CD18: DIP18 (300mil)

P221.jpg (30.3 KB )

P221.jpg

file2[1].P221_DS021C.pdf

881.52 KB

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