本帖最后由 rain_zcy_427 于 2011-5-19 17:28 编辑
P234 系
〓带ADC、LCD 控制
采用FPPATM技术双核心8 位单片机
1.单片机特点
1.1 高性能RISC CPU 架构
〓 内置2 个FPPATM处理单元
〓 4Kx16 bits OTP 程序存储器
〓 200 Bytes 数据存储器
〓 提供100 条指令
〓 除间接寻址模式外的所有指令都是单周期（1T）指令
〓 跳转指令是单周期指令
〓 弹性化的堆栈深度，可程序设定
〓 提供数据与指令的直接、间接寻址模式
〓 提供位（Bit）处理指令
〓 所有的数据存储器都可当数据指针（index pointer）
〓 程序代码保护功能
〓 独立的IO 地址以及存储地址，方便程序开发
1.2 系统功能
〓 时钟源：内部高频RC 振荡器（IHRC）、内部32kHz 振荡器（ILRC）、外部晶振
〓 内置高频RC 振荡器
〓 内置上电复位和4 级低电压检测器（LVD）以确保可工作的电压
〓 内置一个硬件16 位计数器
〓 内置一个硬件8 位计数器并可提供PWM 模式输出
〓 内置一个11 通道 12 位分辨率 A/D 转换器，其中1 通道是Band-gap 定电压输入
〓 内置Band-gap 定电压产生器，提供1.20±0.15V 参考电压
〓 内置一个硬件比较器，提供外部输入信号、内部参考电压比较
〓 内置VDD/2 偏置电压产生器供液晶显示应用
〓 最多提供4x16 点LCD 显示
〓 提供快速开机与普通开机两种模式
〓 提供快速唤醒与普通唤醒两种模式
〓 22 个IO 引脚，每一IO 引脚具有12mA 电流驱动能力
〓 抗干扰能力强（high EFT）
〓 工作频率 (晶振模式和内置高频RC 振荡模式)
DC ~ [email=8MHz@VDD≧4V]8MHz@VDD≧4V[/email] DC ~ [email=4MHz@VDD≧3V]4MHz@VDD≧3V[/email]
DC ~ [email=2MHz@VDD≧2.5V]2MHz@VDD≧2.5V[/email] DC ~ [email=1MHz@VDD≧2.2V]1MHz@VDD≧2.2V[/email]
〓 工作电压：2.2V ~ 5.5V
〓 工作温度：-40°C ~ 85°C
〓 低功耗特性：
Ioperating ~ [email=1.2mA@1MIPS]1.2mA@1MIPS[/email], VDD=5.0V; Ioperating ~ 40uA@ VDD=3.3V, ILRC ~ 16KHz
Istandby ~ [email=1uA@VDD=5.0V]1uA@VDD=5.0V[/email]; Istandby ~ [email=0.5uA@VDD=3.3V]0.5uA@VDD=3.3V[/email]
〓 封装类型:
P234CS18: SOP18 (300mil), P234CD18: DIP18 (300mil)
P234CS20: SOP20 (300mil), P234CD20: DIP20 (300mil), P234CSS20: SSOP20(150mil)
P234CS24: SOP24 (300mil), P234CK24: SK-DIP24 (300mil) |
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