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还我今生|  楼主 | 2011-5-20 10:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
maychang| | 2011-5-20 10:13 | 只看该作者
你不把你的问题完整表达清楚,图中连MOS管及其附属电路都不画出来,MOS管负载和电源电压都不知道,谁也帮不了你的忙,如果有人说是这个原因那个原因,多半也是猜测而不是分析。

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板凳
还我今生|  楼主 | 2011-5-20 10:16 | 只看该作者
这个功率管烧穿和电路有什么关系啊?
驱动上下桥同时导通啊 这有什么不明白的.都是常规电路啊
没有maychang大叔想的那么复杂 就按常规电路分析就行了

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地板
chunyang| | 2011-5-20 18:23 | 只看该作者
瞬态分析是非常复杂的,楼主不要小看。

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还我今生|  楼主 | 2011-5-21 13:02 | 只看该作者
那看来是没有明确答案了啊
如果烧断功率管 那肯定是 变大拉
一般的烧短路 应该也是会改变的吧

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yewuyi| | 2011-5-21 14:11 | 只看该作者
别轻易用烧断这个词,请尽量使用烧坏这个词语。


半导体原料,烧坏的情况下存在烧断和烧短两种情况。

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mmax| | 2011-5-21 15:08 | 只看该作者
本帖最后由 mmax 于 2011-5-21 15:10 编辑

凭我的认识,应该是直通居多,即烧穿短路了,Ron变零点欧姆。(其实不能叫Ron了,因为不受on/off影响)

原因就是器件局部过温,局部融化短路烧穿。

T叔刚发了一期关于器件失效分析的资料,LZ好好看看,尤其最后一个《电子元器件失效分析与典型案例》翻了一下,有案例,觉得很不多。

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还我今生|  楼主 | 2011-5-21 15:31 | 只看该作者
多谢 7楼
能看懂我的心思!
也多谢指点!

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