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n沟道mos管栅极电压可以高于漏极电压吗

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hanzhenwei|  楼主 | 2011-5-22 17:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
maychang| | 2011-5-22 17:32 | 只看该作者
“n沟道mos管栅极电压可以高于漏极电压吗”
可以,很常见。

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板凳
hanzhenwei|  楼主 | 2011-5-22 17:39 | 只看该作者
machang老师 意思是 GD电压为负数 也非常安全可靠?
GD 正负都完全可以?

目前有个老者 非说管子D是电源端,G是控制端,控制端电压不能高于D电源端,说可能不可靠。

我该怎么解释给他听啊
谢谢!!

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st.you 2019-9-4 13:19 回复TA
实测给他看。 
地板
lyjian| | 2011-5-22 18:11 | 只看该作者
饱和导通状态时G端电压不就高于D端了

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maychang| | 2011-5-22 18:20 | 只看该作者
3楼:
N沟MOS管,G端电位高于D端很常见。开关电源中,每个工作周期必有一段时间处于这种状态。若D端电位不能低于G端,那么开关电源的功率损耗就会大得不能接受。
至于怎么解释给他听,那个我不知道。

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ssy250| | 2011-5-23 10:11 | 只看该作者
GS加电压导通的时候不就是G端电位高于D端么

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伟布斯 2019-9-4 12:17 回复TA
这个解释好 
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