MOS门驱动电阻并二极管的问题

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 楼主| gary2009 发表于 2011-5-24 16:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 gary2009 于 2011-5-24 16:44 编辑

下图中的MOS驱动芯片为IR2104,在上下桥的驱动电阻上反并了一个快速恢复二极管,用来防止在关断G极电压由于门极电阻的而抬高。这里我想知道的是如果取消掉这个反向二极管,对系统的可靠运行有什么风险,我见过好多类似的电路中都没有这个反向二极管。请大提出宝贵的意见。

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maychang 发表于 2011-5-24 16:23 | 显示全部楼层
1、IRF540不是IGBT,是大功率MOS管。
2、对功率MOS管来说,去掉(开路)D3D4对电路工作没有什么影响。
summitzhao 发表于 2011-5-24 16:39 | 显示全部楼层
 楼主| gary2009 发表于 2011-5-24 16:43 | 显示全部楼层
本帖最后由 gary2009 于 2011-5-24 16:45 编辑

谢谢春阳老师,题目改过来了,让您见笑了,IRF540确实是MOS,如果我把MOS换成IGBT,那么去掉D3和D4也应该不会有太大影响吧! 2# maychang
6091820503 发表于 2011-11-26 17:40 | 显示全部楼层
好东西~正在学习驱动大功率电机的路过~
宋业科 发表于 2011-11-26 19:24 | 显示全部楼层
去掉后关断时间会长点。
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