GD32F130C8T6保存用户数据到FLASH出问题

只看该作者 · 2017-10-18 08:55

#define FLASH_PAGE_SIZE       ((uint32_t)0x00000800)
#define FLASH_USER_START_ADDR ((uint32_t)0x0800F800)
#define FLASH_USER_END_ADDR    ((uint32_t)0x0800FFFF)

void UserWriteEeprom(void)
{
int i;
uint32_t address_t;
//Unlock the Flash to enable the flash control register access
FLASH_Unlock();
// Erase the FLASH pages
UserErase();  //FLASH_ErasePage(FLASH_USER_START_ADDR);
// Program the user Flash area word by word
address_t = FLASH_USER_START_ADDR;
for(i=0;i<4;i++)
{
  FLASH_ProgramWord(address_t, CustomerSettings.DataAll[i]);
  address_t += 4;
}
// Lock the Flash to disable the flash control register access (recommended
//    to protect the FLASH memory against possible unwanted operation)
FLASH_Lock();
}

上面是在STM32F103的芯片上使用正常的能过保存数据到FLASH，但是用到GD32F130C8T6上，DEBUG的时候FLASH_Unlock()这个函数就通不过了，我用的是GD的库GD32F1x0_StdPeriph_Driver。

请各路大侠提点，程序是从STM32F103上移植过来的，其他的都通过了，就数据保存没发通过

只看该作者 · 2017-10-18 09:42

如果你用GD32F130就应该用GD32F1X0的库，从你贴出来的函数里，使用的FLASH_Unlock();这个是ST的库，GD32F1X0的应该对应的是FMC_Unlock()。用ST的库跟GD是有点差异的，103的不同型号FLASH的BANK大小都不一样,（如_CL,_HD,_XD的BANK大小是2K），130系列固定是1K。另外，GD32的FLASH擦写时间跟ST相比会比较长。用STM32的库，在写完KEY序列后，需要读确认KEY已经生效，
如：while(!(FLASH->CR&0X200)); 或者加入两个NOP，如
__NOP();
__NOP();
在stm32f10x_flash.c中有几个函数需要这样改。
有问题可以找我交流和沟通。375880228@qq.com

只看该作者 · 2017-10-18 09:49

GD32 FLASH擦写时间比STM32会稍长一点。这两个宏定义也要改一下。
/* Delay definition */
#define EraseTimeout ((uint32_t)0x000FFFFF)
#define ProgramTimeout ((uint32_t)0x0000FFFF)