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DSP28335—把程序烧写到flash里的步骤

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qaz098xsw|  楼主 | 2017-10-24 11:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
DSP28335—把程序烧写到flash里的步骤


1. 添加F28335.GEL, 文件路径:C:\CCStudio_v3.3\cc\gel\F28335.gel;
        2. 添加C:\CCStudio_v3.3\MyProjects\WDPT_STEP(DSP)10\Source\DSP2833x_CodeStartBranch.asm文件,此文件负责上电后程序执行顺序跳转的;

        3. 修改工程的build option,将LINKER中的Autoinit参数改成:Run-Time Autoinitial;

        4. 添加DSP281x_Headers_nonBIOS.cmd文件,用于将DSP28头文件中的外设结构与存储器地址对应起来;
        5. 向工程中添加C:\CCStudio_v3.3\MyProjects\WDPT_STEP(DSP)10\F28335.cmd文件,它是用于flash烧写的CMD文件,用于替换原有的用于RAM中调试的28335_RAM_lnk.cmd文件。

        6. 重新编译工程
        7. 烧写
  烧写注意事项
        一、 烧写的注意点:
        1、 烧写第一步(擦出)时不能断电或人为停止,否则会造成28335芯片锁死
        2、 在密码区内 不能将密码全部设置为0,这样会造成芯片永久锁死,如果不采用默认的密码,改动后要记住否则也会造成芯片锁死!切记!!!


        烧写步骤
        一、 先把在调试环境下的工程文件的cmd换成烧写所要用的FLASH cmd 文件,Gel文件换成ccs自带的gel 路径为D:\CCStudio_v3.3\cc\gel下,然后编译无错误
        二、 点击tools菜单栏下的on-chip flash programmer,填出烧写对话框


        注意如果此时出现如下情况:Non-supproted PartID:0x00EF




        安装如下插件就可以解决:


        三、 在填出的对话框中红色部分是对芯片的时钟频率的选择,我们这里用的是外部30M的晶振,经过2分频在通过PLL10倍频。
注意:晶振的平率是根据板子上的晶振所选择的,烧写时芯片最好工作在该芯片的最高频率


        四、 添加最新的API函数,如果API函数较老可以去www.ti .com网站上下载


        五、 添加你所要烧写的.OUT文件

        六、 点击执行按键,烧写所选的程序


        七、 出现如下图所示的信息说明烧写成功

       注意当程序已经成功烧写到flash里后,reset一下板子程序从头开始跑起来,此时一定要把仿真接口从板子上拔掉或者仿真器USB不插电脑上!!!

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youtome| | 2017-10-24 21:55 | 只看该作者
这是jtag的烧写方式。

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houjiakai| | 2017-10-24 21:56 | 只看该作者
现在好像都不用这个办法了。

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htmlme| | 2017-10-24 21:56 | 只看该作者
DSP28335和DSP2812有什么不同

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5
plsbackup| | 2017-10-24 21:57 | 只看该作者
这个是有烧断熔丝位加密?

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6
houjiakai| | 2017-10-24 21:58 | 只看该作者
外部的Flash怎么正常烧写程序?

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7
youtome| | 2017-10-24 21:58 | 只看该作者
楼主有串口的稍息方式吗?

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8
htmlme| | 2017-10-24 21:58 | 只看该作者
程序烧写的时候有没有代码校验?

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9
plsbackup| | 2017-10-24 21:58 | 只看该作者
代码烧写完成之后代码是否正常读取?

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