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双向可控硅控制应用问题

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令界剑|  楼主 | 2017-10-25 11:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
这个是电路图,可控硅下端接的是小负载(一个功率表)。 这个是可控硅门极波形,光耦输入端的信号低电平时间是500US(低电平导通)频率为100hz(通过过零进行控制的),然后光耦输出端的三个电阻都会打火花烧掉,封装是1206的,造成电阻烧掉是不是因为可控硅不可靠导通引起的?还有这波形也是可控硅不可靠导通引起的吗?


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沙发
Siderlee| | 2017-10-25 13:56 | 只看该作者
可能是R13。R14瞬态功率不足

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板凳
airwill| | 2017-10-25 22:05 | 只看该作者
估计这电阻耐压也不够. 300V 普通的 1206 是承受不了的.

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地板
令界剑|  楼主 | 2017-10-26 12:01 | 只看该作者
airwill 发表于 2017-10-25 22:05
估计这电阻耐压也不够. 300V 普通的 1206 是承受不了的.

会吗,很多市电的电路里有些还用的0805的电阻

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华丽生活| | 2017-11-26 15:56 | 只看该作者
有没有试过换用更大封装的电阻,问题解决了吗

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令界剑|  楼主 | 2017-11-29 10:45 | 只看该作者
华丽生活 发表于 2017-11-26 15:56
有没有试过换用更大封装的电阻,问题解决了吗

负载接的类开关电源会有这现象,接电机和灯泡没有问题。

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