看看我的H桥出现什么问题了

只看该作者 · 2017-10-26 20:28

上电后，Q3和Q4就发烫的厉害（要爆的感觉，马上断电），Q1和Q2正常，什么原因呢？

1万 · 2017-10-27 08:54

你这电路很容易受CDG作用直通。是失败的设计。

只看该作者 · 2017-10-27 12:41

如果这个电路只是用来控制电机或其他负载的电源方向，每秒只切换几次的话，
那还是可以尝试简单补救一下的：
用12V稳压管替代图中的所有SS34，再把图1中原1k的电阻换成100k的，原10k电阻换成1k的；
但还是不可以当作产品设计，只能作为功能试验用。

如果还想使用PWM什么的，那就要扔掉吧，重来。

只看该作者 · 2017-10-27 13:13

fzyuan 发表于 2017-10-27 12:41
如果这个电路只是用来控制电机或其他负载的电源方向，每秒只切换几次的话，
那还是可以尝试简单补救一下的 ...

换成100K的？那时间常数都多少了啊？偶看换成几百欧的还差不多。

只看该作者 · 2017-10-27 14:25

设计完全有问题，上管P下管N，很容易造成直通，而且栅极电阻又那么大，mosfet开通和关断损耗肯定很大，频率高的时候不热才怪

只看该作者 · 2017-10-27 16:37

QuakeGod 发表于 2017-10-27 13:13
换成100K的？那时间常数都多少了啊？偶看换成几百欧的还差不多。

没看我的文字？

几百欧？
如果其他不变，就这几个电阻是几百欧的话，上去就炸

只看该作者 · 2017-10-27 16:56

fzyuan 发表于 2017-10-27 16:37
没看我的文字？

几百欧？

看了，换成几百欧也一样有问题。
换成100K也不行。
另外电源电压是24V，就算MOS管开启电压是10V，也还是有直通的时候。
换成几百欧，直通的时间短点，换成100K，直通的时间长点。都不怎么样。
要加死区控制，或者加关断加速电路。

只看该作者 · 2017-10-27 16:57

总之，设计很失败，要重新设计。

只看该作者 · 2017-10-27 20:30

QuakeGod 发表于 2017-10-27 16:56
看了，换成几百欧也一样有问题。
换成100K也不行。
另外电源电压是24V，就算MOS管开启电压是10V，也还是 ...

反正闲着也是闲着。

我前面提的那一条，有几个条件：
1.“每秒只切换几次”；
2.“但还是不可以当作产品设计，只能作为功能试验用。”

那么问题来了，
1.为什么我要用100k？
2.如果是100k，“直通的时间长点”，这个时间是多长？
3.在这段时间内，管子上总共会有多少能量消耗？
4.如果是几百欧，会发生什么情况？

只看该作者 · 2017-10-29 09:01

fzyuan 发表于 2017-10-27 12:41
如果这个电路只是用来控制电机或其他负载的电源方向，每秒只切换几次的话，
那还是可以尝试简单补救一下的 ...

不使用pwm,不控制速度，要是只用稳压管，当三极管导通的时候，MOS的1脚还是12V呀，是不是缺少电阻

只看该作者 · 2017-10-30 20:01

fzyuan 发表于 2017-10-27 20:30
反正闲着也是闲着。

我前面提的那一条，有几个条件：

查手册，IRF3205S和IRF4905S的输入电容是3000pF左右，按照100K栅极电阻，时间常数是0.3mS.
但实际上，由于受到米勒效应的影响，实际上栅极充电电荷在100多nC。等效算到输入电容等于10nF左右。按照这个计算，时间常数要翻3倍，大约到了1mS的水平。即管子从关闭到开启或者从开启到关闭，需要大约1mS的时间。这段时间我们认为是产生直通的时间。
IRF3205S的导通电阻是8毫欧。IRF4905的导通电阻是20毫欧.这样总串联电阻在28毫欧，直通电流在857A。
两管发热功率分别为14693W和5877W。
由于发热时间短，只有1mS左右，实际上发热量大约在14J和5.8J。

假设栅极电阻换成100欧之后。管子的开启和关闭时间变成了1uS左右。
直通时两管发热功率还是那么大，但是时间短了，发热量在14mJ和5.8mJ。

14J的发热量，算上管壳的铜比热容（0.39*2克），可能温升在20度左右。
但实际上1mS的时间温度来不及传达到管壳，只能在管芯分布。而管芯的比热（硅0.7）不足以容纳这么多热量。
手册上有些IRF4905S能承受单次冲击能量为900mJ左右。
另外一个计算方法。200W的功率是按照无限大散热片计算出来的。单次冲击可以按照倍率增加。1mS时间可以算4倍，即800W功率。10uS时间可以算50倍，即10KW。
由此看来。MOS管的开关时间是越短越好的。
另外，以前用MOS管都是使用专用驱动，类似IR21XX系列。其中用过有一款IR2184.栅极驱动电流1.4A/1.8A.可以实现MOS管nS级别的开关速度。此时栅极电阻是欧姆级别的。
即便最普通的IR2101，驱动电流也上百mA，此时栅极电阻不可能超过100欧，一般推荐是十几欧到30欧左右。