STM32使用外部晶振和内部晶振的区别是什么呢

只看该作者 · 2017-10-30 17:24

只看该作者 · 2017-10-30 21:53

单片机的外部晶振稳定，受温度，湿度等环境因素影响比内部振荡器小，精度比较高。

只看该作者 · 2017-10-30 22:00

什么时候用外部晶振，什么时候用内部晶振呢？

只看该作者 · 2017-10-30 23:06

而且当设计需要降低功耗时，比如说便携式仪表等，就需要外设晶振，因为内部振荡器不能根据需要停止，而外部晶振可以适时停止，从而进入休眠状态，降低功耗。

只看该作者 · 2017-10-30 23:10

单片机的内部晶振一般不够准确，误差比较大。但是单片机的内部晶振和外部晶振的作用都是一样的，给系统提供时钟。如果对频率要求不高的话（比如不涉及串口通信和精确定时等的话），用内部晶振就足够了，并且这样成本还低。

只看该作者 · 2017-10-31 08:18

内部时钟，频率受温度等其它影响，但是能省下晶振的钱，还有2个I/O.所以，如果对频率要求不高，一般是优先选用内部振荡。假如你想要省电，用了SLEEP,那你就不能用内部振荡了，内部振荡回停止！

只看该作者 · 2017-10-31 08:24

在STM32上如果不使用外部晶振，OSC_IN和OSC_OUT的接法
如果使用内部RC振荡器而不使用外部晶振，请按照下面方法处理：
1）对于100脚或144脚的产品，OSC_IN应接地，OSC_OUT应悬空。
2）对于少于100脚的产品，有2种接法：
2.1）OSC_IN和OSC_OUT分别通过10K电阻接地。此方法可提高EMC性能。
2.2）分别重映射OSC_IN和OSC_OUT至PD0和PD1，再配置PD0和PD1为推挽输出并输出'0'。此方法可以减小功耗并(相对上面

只看该作者 · 2017-10-31 09:25

是不是使用外部晶振比内部晶振好呢？

只看该作者 · 2017-10-31 09:33

首先要明确的是STM32没有内部晶振，HSI是内部RC振荡器。
HSI内部8MHz的RC振荡器的误差在1%左右

只看该作者 · 2017-10-31 12:15

内部RC振荡器的精度通常比用HSE（外部晶振）要差上十倍以上。

只看该作者 · 2017-10-31 12:24

没所谓优缺点，最重要的是根据应用场合，对时钟要求不高时也是可以用HSI的，要注意的是当用HSI时，最高系统时钟的频率是达不到72MHz的。

只看该作者 · 2017-10-31 18:32

你说的片上晶振指的是芯片内部振荡器吧，那个一般是内部RC（电容电阻)振荡，这个振荡周期会随电压，温度，湿度等一些因素改变（有的比较大）；
外置晶振一般比内部RC振荡精度高并且随电压，温度湿度等变化比较小；

只看该作者 · 2017-10-31 18:43

用内部的就节省一个外部的晶振。
但内部的是rc，受温度影响比较大，外接晶振的话精度会高得多。

只看该作者 · 2017-10-31 21:27

是不是晶振频率越高，功耗越大呢？还是外部晶振比内部晶振的功耗更大的

只看该作者 · 2017-10-31 21:29

一般来说，单片机的晶振频率越高，所需功耗越大。这个晶振频率跟是使用外部晶振还是内部震荡没有关系；

只看该作者 · 2017-10-31 21:56

对于单片机而言，个人认为两者相差不大，使用RC振荡是电容充放电；而使用晶振振荡时，晶振也是电容性质，它比RC振荡的电流大，如果你摸过正在工作的各种晶振，会发现有些晶振发热，而RC振荡从无发热现象；这在各种单片机中都适用。相对于单片机电路，使用外部晶振更耗电一些，因为外部晶振分为无源和有源，当用有源时，功耗那是明显高的，因为有源外部晶振需要从电源吸取能量，有温度补偿，那又是一套电路且需要耗能恒温；在电路中如果需要多种频率，可以通过分频器分别供给单片机及其它电路单元，也就是说，有源晶振具有更强的负载能力，这是普通片外晶振所不能比的。

只看该作者 · 2017-11-6 23:05

外部晶振比较精确，受温度影响小。

STM32使用外部晶振和内部晶振的区别是什么呢

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