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关于双向可控硅调压控制问题

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图一是过零后(黄线高电平为零点)延时一定时间给信号触发(给信号后的半个周期一直低电平)可控硅进行调压控制,低电平导通,使用这种控制方式发现可控硅输出的电压是恒定的,电压调不了。
图二是过零后(黄线高电平为零点)延时一定时间给信号触发(给一个1-2ms的低电平时间)触发可控硅,使用这种控制方式发现当触发电平越接近网电波峰或者波谷时可控硅输出电压越高,最高可以到310V(万用表测量的)把电阻和可控硅都给击穿烧掉了。

我在网上查过,可控硅过零调压很多都用的图二的方法,就是过零后延时给一个足够可控硅导通的触发信号,进行调压。很奇怪的是我使用这种控制方式的话就会发生上面所说的现象。
可控硅电路图,SPEED_OUT为外接电机的端子。
过零检测电路图。


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沙发
lihui567| | 2017-11-29 12:39 | 只看该作者
过零触发这个延时没有处理好?

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板凳
令界剑|  楼主 | 2017-12-1 11:31 | 只看该作者
lihui567 发表于 2017-11-29 12:39
过零触发这个延时没有处理好?

不是,现象原因在于负载为类开关电源,关于为什么可控硅控制类开关电源出现这种现象还不清楚。

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参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 负载有电压门檻,,刚过零还导通不了。负载并联假负载(电阻)。
地板
戈卫东| | 2017-12-1 12:23 | 只看该作者
你用的电容,耐压多少?

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5
令界剑|  楼主 | 2017-12-2 14:46 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2017-12-1 12:23
你用的电容,耐压多少?

275v

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6
戈卫东| | 2017-12-2 14:52 | 只看该作者

安规电容?
好吧我也不懂这个规格的电容够不够。。。。。。

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7
戈卫东| | 2017-12-2 14:53 | 只看该作者
似乎应该是够的。。。。。。

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8
令界剑|  楼主 | 2017-12-2 14:55 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2017-12-2 14:53
似乎应该是够的。。。。。。

是电阻不够,负载接类开关电源时电压被抬高了,最高有300V+,电阻被击穿烧坏。

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9
戈卫东| | 2017-12-2 14:57 | 只看该作者
令界剑 发表于 2017-12-2 14:55
是电阻不够,负载接类开关电源时电压被抬高了,最高有300V+,电阻被击穿烧坏。 ...

哦。。。

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