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MOS管

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请问这个MOS管的原理是什么,为什么G为高电平时导通,不是VGS大于Vt才导通吗。

与G接输入端,D接输出端,S接低电平,这样导通有什么区别吗。

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沙发
maychang| | 2017-11-8 09:17 | 只看该作者
“为什么G为高电平时导通”
没有这回事。
MOS管,总是门极(G)相对于源极(S)达到一定电压(电压极性由管子极性决定,大小由生产工艺决定),MOS管导通。

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Siderlee| | 2017-11-8 10:19 | 只看该作者
竟然还要写字

an-1084 power mosfet basics.pdf

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混子黄|  楼主 | 2017-11-8 13:49 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-8 09:17
“为什么G为高电平时导通”
没有这回事。
MOS管,总是门极(G)相对于源极(S)达到一定电压(电压极性由管子极 ...

我也认为是G级与S级电压进行比较,但这两幅图是实现电压通断的,按照图里的说法,在D级输入一个电压,当G级处于高电压时,S级产生一个D级电压;
当G级处于低电压时,S级为0V。
这不就是G级来一个高电压能导通NMOS管,然后将D级的电压传到S级,不是与S级无关吗?
这里不是很明白。

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maychang| | 2017-11-8 15:21 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-8 13:49
我也认为是G级与S级电压进行比较,但这两幅图是实现电压通断的,按照图里的说法,在D级输入一个电压,当G ...

“这不就是G级来一个高电压能导通NMOS管,然后将D级的电压传到S级,不是与S级无关吗?”
显然与S有关。只不过源极(S)升高并不多(1.5V),因此门极(G)仍然比源极(S)高很多,足够保持MOS管导通。

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混子黄|  楼主 | 2017-11-8 15:47 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-8 15:21
“这不就是G级来一个高电压能导通NMOS管,然后将D级的电压传到S级,不是与S级无关吗?”
显然与S有关。只 ...

我觉得是我一开始的方向就弄错了,图上一个是MOSFET,一个是JFET,我给你发的那两张图我觉得应该是JFET的。
上了一课,一开始已经场效应管就是MOS管。

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maychang| | 2017-11-8 16:07 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-8 15:47
我觉得是我一开始的方向就弄错了,图上一个是MOSFET,一个是JFET,我给你发的那两张图我觉得应该是JFET的 ...

首帖和4楼图中,就没有出现过JFET。

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混子黄|  楼主 | 2017-11-8 16:36 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-8 16:07
首帖和4楼图中,就没有出现过JFET。

我错了,现在好晕。

现在我的理解是当G端加入高电平时,DS会导通,然后将D端电压送到S端,但是此时如果VGS小于VTH的话,此时DS断开,但是S级的电压已经变成D级电压了,是这样吗?
还是DS断开,S级处于高阻态。
请赐教。

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9
maychang| | 2017-11-8 16:51 | 只看该作者
本帖最后由 maychang 于 2017-11-8 16:53 编辑
混子黄 发表于 2017-11-8 16:36
我错了,现在好晕。

现在我的理解是当G端加入高电平时,DS会导通,然后将D端电压送到S端,但是此时如果V ...

“现在我的理解是当G端加入高电平时,DS会导通,然后将D端电压送到S端,但是此时如果VGS小于VTH的话,此时DS断开,但是S级的电压已经变成D级电压了”此时DS并未断开,因为“如果”的事情(VGS小于VTH)没有发生。

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混子黄|  楼主 | 2017-11-8 17:35 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-8 16:51
“现在我的理解是当G端加入高电平时,DS会导通,然后将D端电压送到S端,但是此时如果VGS小于VTH的话,此时 ...

也就是说G级加了高电平,如果D的电压与G级很近,假设G为10V,D为8V,假设VTH为4V,如此,DS就不能导通是吧,那此时的S级应该处于高阻态吧。
其实也就是看VGD是否大于VTH是这样吗。

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maychang| | 2017-11-8 17:36 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-8 17:35
也就是说G级加了高电平,如果D的电压与G级很近,假设G为10V,D为8V,假设VTH为4V,如此,DS就不能导通是 ...

“……如此,DS就不能导通是吧”
是。

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maychang| | 2017-11-8 17:37 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-8 17:35
也就是说G级加了高电平,如果D的电压与G级很近,假设G为10V,D为8V,假设VTH为4V,如此,DS就不能导通是 ...

“其实也就是看VGD是否大于VTH是这样吗。”
说过多少次了,看门极对源极电压,不是看对漏极电压。

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混子黄|  楼主 | 2017-11-8 17:43 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-8 17:37
“其实也就是看VGD是否大于VTH是这样吗。”
说过多少次了,看门极对源极电压,不是看对漏极电压。 ...

不是,我的意思是一开始不是只知道门级和漏极电压吗,这样不就是比较门级和漏极电压吗?

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QuakeGod| | 2017-11-9 14:32 | 只看该作者

不是漏极,是源极。
之所以是源极,是因为源极是和衬底接在一起的。实际上比较的是栅极和衬底的电压。
由于体二极管的关系,即便MOS管断开了,源极电压也不可能比漏极高,所以源极电压也是确定的。

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15
混子黄|  楼主 | 2017-11-10 10:53 | 只看该作者
QuakeGod 发表于 2017-11-9 14:32
不是漏极,是源极。
之所以是源极,是因为源极是和衬底接在一起的。实际上比较的是栅极和衬底的 ...


因为体二极管的存在,导致源极电压小于漏极电压,漏极电压已知为5V,栅极电压为10V的话,源极电压就要小于5V,那么VGS就要大于5V小于10V,这样就导通了。
如果导通电压VTH为4V,此时源极电压设为VS。
VGS=10-VS,VDS=5-VS,VTH=4,VGS大于5V。
可以得到VGS大于VTH
并且VGS-VTH=10-VS-4=6-VS大于VDS
所以处于可变电阻区。
我这样的分析有问题吗?

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