数据写入EEPROM

发表于 2017-11-11 18:55

一个数组uchar buf[100]，想把里面100个字节依次写入EEPROM，应该怎么实现？如果一次写一个字节，每次都要将地址写入吗，可不可以实现地址的自动偏移？

发表于 2017-11-11 18:56

这个要看EEPROM的手册，有的EEPROM支持连续写的功能

发表于 2017-11-11 19:00

这个需要进行地址的偏移处理的

发表于 2017-11-11 19:00

EEPROM一般支持页写的，写一次地址就可以写一页，速度更快。

发表于 2017-11-11 19:04

这个只能是地址自++才行。

发表于 2017-11-11 19:05

iic写入的地址+1偏移。

发表于 2017-11-11 19:07

EEPROM有偏移的方式的啊。

发表于 2017-11-11 19:08

这个不是很容易吗？每次写完地址加一。

发表于 2017-11-11 19:14

连续写入数据是需要有时间间隔的。

发表于 2017-11-11 19:15

每次都需要写入保存到数据地址。定位之后，存储地址定位。

发表于 2017-11-11 19:16

可以连续写入多个字节试试。

发表于 2017-11-11 19:19

进行页写操作,要先进行单字节

发表于 2017-11-11 19:20

eeprom没有批量烧写吧，Flash有批量的写入方式。

发表于 2017-11-11 19:21

这个记得每次地址要加一的就可以吧

发表于 2017-11-11 22:14

写入更多数据要看EEPROM的手册，需要页的概念。

发表于 2017-11-14 10:41

需要地址偏移

[STM32F2] 数据写入EEPROM