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MSP430FRxx FRAM操作要点

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 楼主| dirtwillfly 发表于 2017-11-15 21:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
FRAM, MSP430f, AC


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lisingch 发表于 2017-11-15 21:55 | 显示全部楼层
谢谢分享！正好刚买了一块MSP-EXP430FR2433。
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sdCAD 发表于 2017-11-15 22:38 | 显示全部楼层
主要是Flash的区别吧。
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qiufengsd 发表于 2017-11-15 22:38 | 显示全部楼层
这个擦写次数这么多？
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sdCAD 发表于 2017-11-15 22:40 | 显示全部楼层
能够模拟EEPROM？
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qiufengsd 发表于 2017-11-15 22:40 | 显示全部楼层
正常的烧写速度怎么样？
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angerbird 发表于 2017-11-16 22:08 | 显示全部楼层
这个对内存有特殊需求的设计的选择该型号的MCU的还是非常合适的
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htmlme 发表于 2017-11-19 21:31 | 显示全部楼层
铁电处理器的特性。
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tongbu2015 发表于 2017-11-20 22:46 | 显示全部楼层
这个主要是flash资源这一块比较特殊的
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mituzu 发表于 2017-11-21 13:13 | 显示全部楼层
写入操作的功耗与读取相同
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hellosdc 发表于 2017-11-21 13:14 | 显示全部楼层
FRAM的可擦写次数达到10(15)
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uiint 发表于 2017-11-21 13:14 | 显示全部楼层
FRAM可以把整个单片机的存储做到统一，这使客户在选择平台及设计的时候非常灵活
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updownq 发表于 2017-11-21 13:15 | 显示全部楼层
读写操作速度比Flash快很多。
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mituzu 发表于 2017-11-21 13:15 | 显示全部楼层
这个读写次数要高出很多。
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hellosdc 发表于 2017-11-21 13:15 | 显示全部楼层
TI已经拥有覆盖面很广的低功耗FRAM MCU
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uiint 发表于 2017-11-21 13:15 | 显示全部楼层
，FRAM可以对字节进行操作，对数据的操作上可以做得非常地简化。
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updownq 发表于 2017-11-21 13:15 | 显示全部楼层
FRAM的写入速度是正常的Flash的100倍
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baimiaocun2015 发表于 2017-11-22 23:31 | 显示全部楼层
FRAM的擦写次数还是蛮不错的
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