问题 | TI回复 |
今天的内容讲哪些东西？
| 大功率隔离驱动的相关技术知识和2个非常实用的隔离驱动方案设计
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MOSFET能否驱动直流电源来控制应用？
| 可以的，比如逆变器， DC-DC直流变换器
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一般都是隔离驱动，有什么区别吗？
| 绝缘等级、输出驱动能力、CMTI能力、开关频率
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平面变压器隔离方案吗
| 我们的隔离驱动是基于电容隔离技术实现的
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光耦隔离好还是变压器隔离好？怎么选择？
| 各有优缺点哦
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电容隔离 有没有工作频率下限？
| 容隔内部有调制与解调模块。因此没有频率下限哦
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电容隔离现在应用广泛吗，性价比如何？
| 容隔技术速度快，寿命长，可靠性高，目前应用很广泛。PS光耦有衰减
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隔离驱动的工作电压可达多少？
| UCC535X输出侧电压电压13.2V~33V, UCC2152X 输出侧电压达25V
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驱动IGBT如何选择自举电容和自举二极管？
| 请参考TIDA-01159里面有介绍
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隔离器件频率范围多少
| UCC21520最高频率可达5MHz
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这个技术在恶劣环境，比如高温辐射强的环境下性能怎么样？特别是在高干扰条件下工作稳定性如何？
| CMTI最小值为100V/ns
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工作频率特性如何？
| UCC21520最高频率可达5MHz
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电容隔离工作频率多少，对于高频来说
| 我们的UCC21520 开关频率可以达 5M
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失效模式会不会导致短路呢？
| 我们目前的UCC58xx 隔离驱动，都是增强型隔离驱动，内部有2个隔离单元。是fail open
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MOSFET igbt sic有什么区别了，我们在做设计时怎么选择
| 主要是耐压、电流。
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有没有 24v 100A的呢
| 您指的是MOS管还是GaN
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这种封装结构有点类似光藕的封装，内部的距离为多少呢？
| 不同型号的Creepage 和 Clearance是不同的。具体的请查阅我们的规格书。
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隔离驱动时，怎样提高驱动能力？
| 选用驱动电流更大的隔离驱动芯片，例如UCC5390可达10A;
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ti隔离方案 的耐高压能耐多久
| 芯片的规格书里有提供Maximum repetive peak isolation voltage 和 Max surge isolation voltage. UCC21520的VIORM是2121V, VIOSM是8000V;
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电容隔离对电流要求大吗
| 输入电流很小；
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光耦隔离功率不大高频效果不好，变压器隔离低频效果比较差，是这样吗
| 是的。我们新一代的电容隔离内部使用OOK调制解调，速度快，安全性高
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这个产品什么时候可以量产，供货周期是多久？
| 请联系我们当地的代理商或者销售
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这种隔离，周围电场会影响其功能吗
| 不会的。隔离驱动内部，绝缘壁垒2侧，是调制和解调模块。内部信号是带调制的，不
易受外部干扰
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驱动能力上可以达到10A以上吗？
| 可以。例如UCC5390输出PEAK电流是 10A
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什么是米勒电流能详细介绍一下吗，谢谢
| 米勒效益，会产生一个米勒电流，会在关断的管子的基极产生对应的电压，该电压可能
导致 管子误导通
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电容隔离的耐压怎么做的比较高了？
| 我们采用高耐压的Sio2绝缘材料
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小型的电机驱动是否可以基于此方案进行设计呢？开关频率在20K左右
| 可以的
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电容隔离对输出影响吗？后级电路设计应注意什么了
| 可以参考我们的TIDA-01159/ TIDA-01160参考设计
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电容隔离是否会影响开关频率这些，驱动能力如何
| UCC53x0有多种输出电流可以选择，最大可达10A
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EFT等级能过多少v
| 不同的隔离驱动芯片，略有不同。 UCC21520 Vpk是8KV
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igbt跟sic的容隔离驱动芯片还需要提供负压吗
| 跟实际电路有关；使用我们带米勒箝位功能的UCC53x0M可以使用单电源供电
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驱动器的隔离电压能到多少伏？
| UCC53xx可达8KV
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一个驱动需要一个隔离供电，那么这个设计起来的复杂度岂不是更高了。
| 各有优缺点哦
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芯片性能对温度敏感么
| -40 ~ 125
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后续会不会考虑自己产生内置隔离电源
| 一会儿会介绍该参考设计，敬请期待
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工作温度只能到105吗？功率驱动管基本都到150哦，这个方面是否有限制使用环境和需要降额使
用呢？
| 我们的UCC21520工作温度范围是 -40~ 125哦
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怎么提高效率？提高开关频率，那不是增加了开关损耗吗？
| 开关频率提高后，如果要保持高的效率， 可以采用软开关等技术
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这个隔离驱动在使用的时候EMI处理怎么样。现在电机控制器对EMC兼容要求越来越严格了。。。
| 跟实际电路有关系，例如上升时间；
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电磁干扰大 怎么解决
| 选用CMTI高的器件，优化PCB设计。UCC21520的CMTI min值是100V/ns
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可以提供多达的功率了？功率不足可以并联来增加输出功率吗？
| 可以的。对输出延迟的一致性要求比较高。可以考虑我们的UCC21520
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怎么提高抗干扰能力？
| 选用高性能驱动芯片，合理的电路设计
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工模干扰可以通过什么手段抑制
| 合理的PCB布局很关键
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现在TI的此系列隔离驱动平均单路的成本是多少呢？
| 请联系我们当地的销售
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管脚ESD耐压是多少？
| UCC53xx的所有管脚4kv ESD
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隔离电源的隔离电压是否也需要配套到5kV以上？
| 根据安规的需要设计，跟污染等级有关
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MOSFET/IGBT/SiC 里面的SiC 是什么？
| 碳化硅
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失真度控制的好，内部使用什么技术？
| 差分信号电容隔离技术
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在驱动电流到了10A以后散热设计该怎么进行设计？
| 我们的 TIDA-01159/ TIDA-01160参考设计的设计指南里面，有详细的计算方法哦
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驱动不足时，使用普通图腾可以吗？
| 可以的。更简单的办法是换一颗驱动电流稍大的驱动芯片
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光电耦合器隔离的驱动器和无源变压器驱动两种方式应用场合有什么不同？
| 隔离变压器体积大，硬件布局比较麻烦。
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可以申请样片吗，做下测试
| 可以的，如果您注册myTI,可以直接在我们官网申请样品
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-55度能工作么
| ucc21520 推荐工作温度范围是 -40~125. over spec使用，我们不保证性能
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从可靠角度来说，芯片直接接容隔没问题吗？
| MCU输出的PWM信号，一般会在靠近驱动一侧串接一个100欧姆电容，和对地加滤波电容
，一般选100pF
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双通道隔离比单通道隔离有什么区别？
| 双通道可以同时驱动2个MOSFET
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ucc2152x系列过载后是否进行自动保护呢？
| 有保护集成在内部
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容隔的性能这么好，应用场景在什么地方，感觉价格比较高
| 价格还是合理的，尤其如果您的开关频率高的话
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ton/toff时间是多少？
| 请参考TIDA-01159/ TIDA-01160设计文档，里面有介绍
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三相半桥用在哪些地方？
| 同步电机，比如BLDC, 伺服电机。3相逆变
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UCC21520并联来增加输出功率有应用方案或电路吗
| 有的。双向电源变换器的参考设计里面有用UCC21520做并联
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死区控制是硬件驱动还是软件算法插入方式？
| DT管脚，对地的电阻阻值来设计。死区时间约= 10*R(DT) ns
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PSR控制？
| 辅助电源PSR flyback也是可以的
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MOsfet 短路保护有那些方法
| 需要加电流采样及保护电路，很多电源控制芯片有内置这种功能
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可以给GaN驱动吗？
| 可以
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有提供相关的demo PCB 下载吗？
| 可以搜索TIDA-01159 或 TIDA-01160可以到TI.COM.CN上下载所有设计文件，包括PCB gerber
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驱动电源可以直接提供负压吗？
| 可以的，参考TIDA-01159 和 TIDA-01160在线资料 （在ti.com.cn上）
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这种电容隔离的芯片大概多钱？
| 在电源系统应用中，成本是与光耦相当的
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关闭模块时是否可以栅极施加负电压信号***件关闭呢？
| 有这样的版本，支持这种功能的
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需求低压大电流（30V以下）时，同等拓扑使用MOS FET 和 SIC 哪一个效率可以做的更高？
| 取决于器件的参数选择哦。不过通常MOSFET更常用，价格低
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UCC5320SCD是如何来控制驱动器的上升和下降时间？
| 通过2个门级电阻进行设置
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一般什么样的场合下是考虑用Sic ?
| 需要体积小的应用
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拉电流和灌电流都这么大了？
| UCC21520 4A/6A,UCC5390 （典型值到+/- 17A）
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Sic是高功率密度应用场合的首选吗
| 未必，取决于具体的系统规格要求
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有没计算书？？？
| 有的，可以到ti.com.cn上，搜素TIDA-01159 或TIDA-01160来下载详细的design guide
以及其他设计文件
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TIDA-01159芯片可以直接设置死区吗，看样子很不错
| 死区可以设置的
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半桥200k，可以用来做llc驱动了
| 我们测过1M的，带SiC
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死区是设置好的还是可以自动调节？
| 可以通过DT脚上拉、对地电阻值及悬空等状态进行设置。
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波形很不错啊，TI官方有相关的评估版本购买或者申请使用吗
| 可以联系ti支持您的同事。 可以到ti.com.cn上，搜素TIDA-01159 或TIDA-01160来下
载详细的design guide 以及其他设计文件
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欠压保护，精准不？？
| 准的。具体参数请查阅对应规格书哦
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想只用一路PWM来控制半桥，这种双输入的Driver 输入端要怎么处理？
| 其中一路信号要加反相，上管下管驱动信号之间要加死区
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死区时间是外接电阻控制吗 支持mcu控制吗
| 死区时间是通过外接电阻设置的。
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有没有死区时间控制相关资料。可以保证不会炸机啊。
| 我们芯片规格书里面有对应的公式，很简单的
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是否进行量产了呢？供货周期有多久？
| 量产了，具体请联系当地的销售
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TIDA-01159能够承受多大的共模瞬态抗扰度？
| 我们目前测试时100V/ns
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