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我用芯片驱动MOSFET，测VGS电压只有7V，但对地测量G极有34V，

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wb8899|  楼主 | 2008-1-13 19:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电压, 芯片驱动, 单电源, 电源
那位高手指点下，我用芯片驱动MOSFET，测VGS电压只有7V，但对地测量G极有34V，为什么呢，这样的驱动电压够吗,驱动MOSFET有那些单电源的驱动芯片吗

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沙发
ketter| | 2008-1-13 20:31 | 只看该作者

你是什么Mos?

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板凳
wb8899|  楼主 | 2008-1-13 20:55 | 只看该作者

IRF2807

IRF2807，这个管子在VGS=10V才能达到110A电流

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地板
ketter| | 2008-1-13 21:04 | 只看该作者

我想你是负载是从S端接出的。

这只应是N channel,增强型的吗？

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5楼
ketter| | 2008-1-13 21:36 | 只看该作者

7V可以打开，如果你的负载电流过大时你的Vgs就更小了

这样Rds增大，只到Mos关断

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6楼
wb8899|  楼主 | 2008-1-13 21:40 | 只看该作者

是N型的，空载时3.4V，带25A电流时是7V

是N型的，空载时3.4V，带25A电流时是7V，但老是击穿MOSFET管，怀疑VGS驱动不足，

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7楼
ketter| | 2008-1-13 21:52 | 只看该作者

把图贴上来看看，才好分析。

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8楼
wb8899|  楼主 | 2008-1-13 22:27 | 只看该作者

图纸

图以下：

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9楼
wb8899|  楼主 | 2008-1-13 22:28 | 只看该作者

芯片的

芯片图

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10楼
赤铸| | 2008-1-13 23:18 | 只看该作者

VGS=7V, VG=34V

那么 VS=27V。但 VD=24V, 所以首先数据测的就有点问题

就算 VG=30V 吧，由于负载是感性的，瞬间可能会有 VS≈-0.7V，这时 VGS>30V
很少有 MOSFET 能承受这么高 VGS

VG 很高时，是不能用源极跟随电路的

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11楼
wb8899|  楼主 | 2008-1-13 23:32 | 只看该作者

10楼的VGS>30V是怎么算来的呢

10楼的VGS>30V是怎么算来的呢，没测只有7V呀，IRF3205  VD=55V的

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12楼
zjp8683463| | 2008-1-14 09:07 | 只看该作者

选PMOS比较合适

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13楼
maychang| | 2008-1-14 09:18 | 只看该作者

线圈应该放到电源正端

为什么一定要用源极输出？有什么理由吗？

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14楼
wb8899|  楼主 | 2008-1-14 09:25 | 只看该作者

芯片与控制需要

芯片与控制需要，我们是控制四组相同的电路负载输出的，四组线圈负极共用，电路控制正极输出到线圈

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15楼
赤铸| | 2008-1-14 13:50 | 只看该作者

我说的是 VG，不是 VGS

LZ 似乎搞不明白这两个的区别？
因为 VG=35V，VS≈28V，所以 VGS=VG-VS≈7V
之所以 VS≈28V，是因为 VD≈28V，也就是主电源是 28V

要满足VGS=10V，LM9061 的输出必须比主电源（BAT1）高 10V
假设 LM9061 升压 15V，那 LM9061 的电源不能低于 BAT1-5V

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16楼
ketter| | 2008-1-14 21:16 | 只看该作者

VGS=7V是错误的

15V稳压没有起到作用。言下之意，charge pump没有正常工作

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17楼
ketter| | 2008-1-14 21:30 | 只看该作者

你的负载电源需要经过一二极管给VRM芯片供电

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18楼
赤铸| | 2008-1-15 17:21 | 只看该作者

看了一下 LM9061 手册

就是利用电荷泵升压，将输入逻辑高电平变成 VG=VCC+X（VCC 是 LM9061 的电源），输入逻辑低电平仍变成 0V，实际就是一个高电平驱动器

随电源电压和负载变化，X = 7～15V

根据 VCC=19.9V，VG=34V，可以判断，这里 X≈14V，显然 LM9061 工作正常。

但是 VGS = 7V，那最可能的就是 VS 有问题，LZ 直接测一下 VS 问题就清楚了

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19楼
wb8899|  楼主 | 2008-1-16 20:00 | 只看该作者

回20楼，

回20楼，VS电压是电源电压减去MOSFET的压降即0.3v,

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