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关于MOS管防静电的问题

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gaochenlin5566|  楼主 | 2011-5-31 22:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, MOS管, os, 电容
请问版主
    MOS管的GS极容易被静电击穿，这个是什么原理。GS有个结电容不是可以吸收和释放这些能量吗？请指教

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沙发
HWM| | 2011-5-31 23:12 | 只看该作者
re LZ:

MOS管的G极是由非常薄的一层绝缘层隔离的，因此非常容易被静电击穿（E = U/d）。虽然G对S存在着“电容”，但其非常小（因为面积很小），所以稍有电荷积累就会有较高的电压，所以极容易被击穿。

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板凳
yewuyi| | 2011-5-31 23:12 | 只看该作者
个人认为主要是那两个层或者两个层间比较薄

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地板
ghost1325| | 2011-5-31 23:43 | 只看该作者
楼上两位都是原因

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5楼
zjy.zz| | 2011-6-18 11:25 | 只看该作者
学习了

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6楼
tianya9999| | 2011-9-8 17:04 | 只看该作者
个人认为主要是那两个层或者两个层间比较薄

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7楼
heenson| | 2011-9-13 20:58 | 只看该作者
结电容比较小，且是一层薄金属膜易被击穿

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