请教：MOS管作为开关不受控

发表于 2017-12-14 17:13

本帖最后由山东电子小菜鸟于 2017-12-14 17:23 编辑

上电瞬间对MOS管结电容充电，你用10K时相对于100K而言充电时间很短迅速达到VCC电压因此MOS导通当你用100K 时充电时间相对于10K而已延迟大约10倍在这个时间段内，CPU已经完全启动完成使电路脱离了虚电平状态从而正常工作 r1不变，增加R2 时，从交流回路中可以看出，由于上电瞬间三极管有漏电流存在 R2本身充当了泄放电压与延迟充电时间双重功能不足以达到MOS开启电压因此不会开启虽然两种方法表面上看起来上电时不会开启但都不是稳定的在存在干扰情况下无法保证不出问题

发表于 2017-12-14 21:11

山东电子小菜鸟发表于 2017-12-14 17:13
上电瞬间对MOS管结电容充电，你用10K时相对于100K而言充电时间很短迅速达到VCC电压因此MOS导通 ...

你好，你这里指的充电时对gs之间的电容充电吗？？没上电钱，GS两端的电压为零，上电后，GS两端的电压都是12v，怎么会有充电的过程呢？求指导，谢谢！

发表于 2017-12-15 17:30

奥巴羊发表于 2017-12-14 14:25
据你所述，R1=15K，R2=0K，上电导通，不过R1=100K后，反而不存在这个问题，这个基本可以排除三极管漏电的 ...

今天试了一下，15K跟2K，没出问题

发表于 2017-12-15 17:35

山东电子小菜鸟发表于 2017-12-14 17:13
上电瞬间对MOS管结电容充电，你用10K时相对于100K而言充电时间很短迅速达到VCC电压因此MOS导通 ...

又试了一次2K2K的搭配发现MOS管坏了，这有可能是R2的值选择太小，没有起到足够的泄放电路，被漏电流击穿导致的吗

发表于 2017-12-27 10:01

DIYDIY DIY 发表于 2017-12-13 10:47
意思是R1越小会导致这个MOS管更加快速的导通？ R2的作用在R1是小阻值的情况下，起保护作用，是这么理解 ...

你语文够呛。外国人吗？

发表于 2017-12-27 10:10

DIYDIY DIY 发表于 2017-12-15 17:35
又试了一次2K2K的搭配发现MOS管坏了，这有可能是R2的值选择太小，没有起到足够的泄放电路，被漏电流击穿 ...

驱动电压不足导致MOS不能充分导通。负载电流大了就烧了MOS。一般MOS GS 耐压有15V. 栅极串联的电阻可以用100欧姆。

发表于 2017-12-27 13:04

xch 发表于 2017-12-27 10:01
你语文够呛。外国人吗？

[电子元器件] 请教：MOS管作为开关不受控

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