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[电路/定理]

NMOS管做电平转换器件

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本帖最后由 xiaxingxing 于 2017-12-13 17:57 编辑

打算用NMOS(IRF1010NS)管做电平转换器件,于是先仿真,但是达不到预期的要求。1、如下图1所示,信号源600Hz时,符合预期。
2、如下图2所示,信号源600KHz时,不符合预期。当信号源为高电平4V时,NMOS管截止,输出电平不应该是6V吗,为什么只有3.6V呢?
通过上面两种频率的信号源对比,我以为是NMOS管的开关频率不够,但是我一查datasheet,发现其上升时间那些都是ns级别(
见图3所示),其对应的开关频率至少10MHz级别。所以,从这点来看,应该不是mos管开关频率限制的原因。
3、信号源频率为600KHz时,输出电平为什么达不到6V呢?要怎样改进呢?求各位大神指导,谢谢!


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沙发
戈卫东| | 2017-12-13 18:03 | 只看该作者
似乎,你选错了元件?

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板凳
xiaxingxing|  楼主 | 2017-12-13 18:36 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2017-12-13 18:03
似乎,你选错了元件?

要选什么元件呢?推荐一下啊,哥。

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地板
戈卫东| | 2017-12-13 18:40 | 只看该作者
你选定是大电流大功率低导通电阻的管子,它一般用于几安几十安的开关,把它用在几毫安电流的开关是不合适的。
你试试2N7002之类的小管子?

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5
xiaxingxing|  楼主 | 2017-12-13 19:03 | 只看该作者
本帖最后由 xiaxingxing 于 2017-12-13 21:57 编辑
戈卫东 发表于 2017-12-13 18:40
你选定是大电流大功率低导通电阻的管子,它一般用于几安几十安的开关,把它用在几毫安电流的开关是不合适的 ...

换成2N7002之后好了,就是高电平不够平。或有一个上升的过程,这是电容充放电的原因吧。能较小这种效果吗?见图,谢谢啦!
再请教一下,为什么换成小功率管2N7002之后就可以了呢?在这里,他和IRF1010相比,主要看哪个参数呢?请指导,不胜感激!

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6
戈卫东| | 2017-12-14 11:25 | 只看该作者
上升波形,可能是CGD的影响吧?实际电路可能会不同。

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7
gloriousjh| | 2017-12-15 09:38 | 只看该作者
同问,求解。

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8
小和尚520| | 2017-12-17 08:07 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2017-12-13 18:40
你选定是大电流大功率低导通电阻的管子,它一般用于几安几十安的开关,把它用在几毫安电流的开关是不合适的 ...

大功率管子造成输出达不到6V的原因是什么?

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