[技术讨论] DDR上拉电阻设计

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 楼主| 彭段环 发表于 2017-12-13 20:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位好:
      最近对DDR3设计感兴趣,想请教一下关于DDR3上拉电阻的问题,有无添加的必要?从信号完整性的角度看通常情况下是加了的,想问一下应该怎么计算出这个上拉电阻?有无什么标准?
x1508032093 发表于 2018-1-20 22:13 | 显示全部楼层
flyby 挂2片颗粒没必要加上拉匹配,挂4片颗粒加
lifevast01 发表于 2018-1-21 13:34 | 显示全部楼层
现在DDR3内置ODT,不用加
小和尚520 发表于 2018-1-22 17:17 | 显示全部楼层
lifevast01 发表于 2018-1-21 13:34
现在DDR3内置ODT,不用加

ODT 不是下拉 匹配吗?
 楼主| 彭段环 发表于 2018-1-27 19:56 | 显示全部楼层
lifevast01 发表于 2018-1-21 13:34
现在DDR3内置ODT,不用加

不是吧 ODT只是针对DQ,DQSU,DQSL,DMU,DML等,对于控制信号和地址里面是不具有ODT的把!
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