发新帖我要提问
返回列表
打印
[电路分析]

图腾柱驱动NMOS为何不能超过10KHZ

[复制链接]
5444|20
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
wzy521|  楼主 | 2017-12-19 15:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
kHz, MOS, PWM, 电路, 调试
大家好，我现在做一个图腾柱驱动NMOS的电路，板子已经焊接好了，PWM是从8K到50K左右，但是我在调试时出现的问题是PWM频率不能超过10K左右，一旦超过，A,B俩点的波形烦乱无规律，大家帮忙看看什么原因，谢谢！

QQ截图20171219150721.png (32.89 KB )

QQ截图20171219150721.png

使用特权

评论回复 赏
评论
xch 2018-3-30 09:22 回复TA
如果是MMBTA42 这种低俗管子那就得换了至少FT 1GHZ的. 
xch 2018-3-30 09:20 回复TA
是MMBTAxx? 

相关下载

相关帖子
沙发
lfc315| | 2017-12-20 13:49 | 只看该作者
什么样的波形？
可以试试把R3改小一点，比如2k

使用特权

评论回复 赏
板凳
lfc315| | 2017-12-20 13:49 | 只看该作者
另外得确定单片机输出的波形是否正常

使用特权

评论回复 赏
地板
wzy521|  楼主 | 2017-12-21 10:45 | 只看该作者
lfc315 发表于 2017-12-20 13:49
什么样的波形？
可以试试把R3改小一点，比如2k

改了，从2K到10K都换过，没有什么变化，单片机输出波形都是好的，就是A,B两点没波形了，感觉R3上啦速度不够

使用特权

评论回复 赏
5楼
lfc315| | 2017-12-21 11:13 | 只看该作者
输出端的负载是什么，可能负载的电容容量太大了，驱动能力还是不够；
试试去掉D8，R9并联1个100p左右的电容，看看波形有什么变化

使用特权

评论回复 赏
6楼
Siderlee| | 2017-12-21 20:26 | 只看该作者
图腾柱附近有没有大的储能电容

使用特权

评论回复 赏
7楼
mmuuss586| | 2017-12-21 21:40 | 只看该作者
Q5和Q8的位置换下呗；

使用特权

评论回复 赏
8楼
jimsboy| | 2018-3-15 18:27 | 只看该作者
估计Q7进入饱和区了，三极管退出饱和的速度不够快引起的。
把Q7换成小MOS管试试。

使用特权

评论回复 赏
9楼
解博| | 2018-3-29 23:54 | 只看该作者
没看到MOS

使用特权

评论回复 赏
10楼
atz1000| | 2018-4-9 13:55 | 只看该作者
应该是R3和Q7的问题，Q7可以采用电压控制的MOS管代替试试，R3继续减小最多1K

使用特权

评论回复 赏
11楼
QWE4562009| | 2019-7-15 15:52 | 只看该作者
wzy521 发表于 2017-12-21 10:45
改了，从2K到10K都换过，没有什么变化，单片机输出波形都是好的，就是A,B两点没波形了，感觉R3上啦速度不 ...

上拉速度要快不是要更小的阻值吗？几百欧的试了没有

使用特权

评论回复 赏
12楼
QWE4562009| | 2019-7-15 15:53 | 只看该作者
lfc315 发表于 2017-12-21 11:13
输出端的负载是什么，可能负载的电容容量太大了，驱动能力还是不够；
试试去掉D8，R9并联1个100p左右的电容 ...

并联电容  驱动速度不是更慢了吗  

使用特权

评论回复 赏
13楼
QWE4562009| | 2019-7-15 15:53 | 只看该作者
mmuuss586 发表于 2017-12-21 21:40
Q5和Q8的位置换下呗；

为什么  

使用特权

评论回复 赏
14楼
QWE4562009| | 2019-7-15 15:58 | 只看该作者
jimsboy 发表于 2018-3-15 18:27
估计Q7进入饱和区了，三极管退出饱和的速度不够快引起的。
把Q7换成小MOS管试试。 ...

MOS导通更慢吧

使用特权

评论回复 赏
15楼
R2D2| | 2019-7-15 20:54 | 只看该作者
Q7的BC之间加一个肖特基二极管，防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器，根本不会饱和，不至于影响整个电路的速度。


如图所示，当C极电压低于0.4V时，肖特基二极管导通，分流走部分b极电流，电流减少，防止三极管进入深饱和状态（Ib>>Ic/β），从而降低从饱和中回复的时间。

使用特权

评论回复 赏
16楼
jimsboy| | 2019-7-20 15:32 | 只看该作者
QWE4562009 发表于 2019-7-15 15:58
MOS导通更慢吧

三极管你给了高电平之后，它是导通了。但是你给了低电平之后。由于BE之间是二极管，所以这些电荷无法原路返回，必须在里边消耗完了输出才会截止。而MOS是电压型的。G极只是一个电容，不会出现进得去出不来的问题。

使用特权

评论回复 赏
17楼
QWE4562009| | 2019-7-22 08:56 | 只看该作者
R2D2 发表于 2019-7-15 20:54
Q7的BC之间加一个肖特基二极管，防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器，根本不会饱和，不至于影响整个 ...

这个有点意思哈----------------MOS米勒电容放电时不就是希望三极管饱和导通？深度饱和放电速度就越快了呀。这样不就是加快了放电的速度？

使用特权

评论回复 赏
18楼
QWE4562009| | 2019-7-22 08:57 | 只看该作者
R2D2 发表于 2019-7-15 20:54
Q7的BC之间加一个肖特基二极管，防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器，根本不会饱和，不至于影响整个 ...

这个有点意思哈----------------MOS米勒电容放电时不就是希望三极管饱和导通？深度饱和放电速度就越快了呀。这样不就是加快了放电的速度？

使用特权

评论回复 赏
19楼
QWE4562009| | 2019-7-22 09:04 | 只看该作者
R2D2 发表于 2019-7-15 20:54
Q7的BC之间加一个肖特基二极管，防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器，根本不会饱和，不至于影响整个 ...

https://bbs.21ic.com/icview-28324 ... -------------------你这个回复是这个帖子的吧！

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

wzy521

13

主题

63

帖子

0

粉丝