1 概述
1.1 FLASH特点
写操作只能将1改写为0，不能将0改写成1。FLASH擦除后所有单元变为1，擦除操作只能针对整个段。FLASH在擦除前不能被改写。
1.2 MSP430F149存储器编址方式
MSP430F149的ROM为60K+256B的FLASH,RAM为2K。MSP430存储器采用冯诺依曼结构，RAM和ROM合在一起编址。MSP430F149内部集成有FLASH控制器，可以简化对FLASH的操作。
64K的寻址空间分为RAM、FLASH。
RAM分两块：
1、寄存器（0000H-01FFH），存放特殊寄存器、设备寄存器、变量与堆栈。
2、数据RAM(01FFH-),存放各种变量、中间结果、堆栈。
FLASH分两块：
1、主FLASH 一般用于存放程序代码。
2、信息FLASH(InfoFlash)用作掉电后保存少量数据。分为InfoA(0X1080-0X10FF)和InfoB(0X1000-0X1080)，每段各128B。
1.3 操作
三种操作：读取、擦除（只能针对段擦除）、写入（可以写入单个字节）。
2使用方法
2.1 程序架构
读取FLASH方法和读取RAM方法相同。写和擦除FLASH要进行如下配置：
配置寄存器
制定指针地址
写数据/复制数据
配置寄存器
2.2 参数配置
主要配置三个寄存器FCTL1，FCTL2，FCTL3。
1、配置FLASH控制器时钟。时钟要求控制在250-470Khz之间。
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //2分频
2、用指针指向地址Unsigned char *ptr= (unsigned char *) 0x1080;
3、进入写模式或擦除模式FCTL1=FWKEY+WRT;或FCTL1=FWKEY+ERASE
4、清除锁定位 FCTL3=FWKEY;
5、写数据 *ptr=0x30;或擦除*ptr=0；
6、退出写状态，恢复锁存
FCTL1=FWKEY;
FCTL3=FWKEY+LOCK;
2.3 说明
上电FLASH默认状态是读。为防止错误操作，FLASH的三个寄存器FCTLX都采用了密码核对机制FWKEY。
上电时FLASH的InfoFLASH区域值均为1，可直接进行写操作，但此后的写操作必须先擦除才能正确写入。
MSP430系列单片机FLASH擦写典型次数是10万次，最低保证1万次。产品设计初期要规划好FLASH的寿命，尽量不让某些需要频繁改动的数据保存在FLASH中，这些数据可保存在RAM中，在断电前才存入FLASH中。
3相关寄存器
1、FCTL2
FWKEY Bits
15-8
FCTLx password. Always read as 096h. Must be written as 0A5h or a PUC
will be generated.
FSSELx Bits
7−6
Flash controller clock source select
00 ACLK
01 MCLK
10 SMCLK
11 SMCLK
FNx Bits
5-0
Flash controller clock divider. These six bits select the divider for the flash
controller clock. The divisor value is FNx + 1. For example, when FNx=00h,
the divisor is 1. When FNx=03Fh the divisor is 64.
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0;
2、FCTL1
FWKEY
Bits
15-8
FCTLx password. Always read as 096h. Must be written as 0A5h or a PUC
will be generated.
MERAS
ERASE
Bit 2
Bit 1
Mass erase and erase. These bits are used together to select the erase mode.
MERAS and ERASE are automatically reset when EMEX is set.
MERAS ERASE Erase Cycle
0 0 No erase
0 1 Erase individual segment only
1 0 Erase all main memory segments
1 1 Erase all main and information memory segments
WRT Bit 6 Write. This bit is used to select any write mode. WRT is automatically reset
when EMEX is set.
0 Write mode is off
1 Write mode is on
3、FCTL3
FWKEYx Bits
15-8
FCTLx password. Always read as 096h. Must be written as 0A5h or a PUC
will be generated.
LOCK Bit 4 Lock. This bit unlocks the flash memory for writing or erasing. The LOCK bit
can be set anytime during a byte/word write or erase operation and the
operation will complete normally. In the block write mode if the LOCK bit is set
while BLKWRT=WAIT=1, then BLKWRT and WAIT are reset and the mode
ends normally.
0 Unlocked
1 Locked
4 实例
4.1 上电后向InfoFLASH某单元写入一个字节数据
1、配置FLASH控制器时钟。时钟要求控制在250-470Khz之间。
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //2分频
2、用指针指向地址Unsigned char *ptr= (unsigned char *) 0x1080;
3、进入写模式FCTL1=FWKEY+WRT;
4、清除锁定位 FCTL3=FWKEY;
5、写数据 *ptr=0x30;
6、退出写状态，恢复锁存
注意FLASH操作期间不允许中断，所以写FLASH时要对全局中断允许进行操作。
代码如下：
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop watchdog timer
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; // MCLK/2 for Flash Timing Generator
unsigned char *ptr=(unsigned char *)0x1080;
FCTL1=FWKEY+WRT;
FCTL3=FWKEY;
_DINT();
*ptr=0x30;
while(FCTL3&BUSY);
_EINT();
FCTL1=FWKEY;
FCTL3=FWKEY+LOCK;
4.2 向FLASH的InfoA中连续写入128B数据
说明：通过FCTL1将FLASH设为段擦除模式后，只要向某个段内任何存储单元写入0即可进行擦除操作。
void write_SegA (char value)
{
char *Flash_ptr; // Flash pointer
unsigned int i;
Flash_ptr = (char *) 0x1080; // Initialize Flash pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
*Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash segment
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation
for (i=0; i<128; i++)
{
*Flash_ptr++ = value; // Write value to flash
}
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit
} |
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