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关于SRAM芯片功能失效的原因

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混子黄|  楼主 | 2018-1-10 10:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
SRAM, 芯片功能, 读写, IS62WV51216, 芯片型号
本帖最后由 混子黄 于 2018-1-10 10:34 编辑

芯片型号为ISSI的is62wv51216BLL

现在的现象是使用一段时间以后，数据位中的某一些位写死了为1或者0。
比如我想写个0X5555，但是最后得到的却是0X5551之类的数据，然后换一片就好了。
请问这里的原因可能是什么？读写操作需要注意什么？
谢谢大家了。

补充一下，是这一位不管写1还是写0，输出不变。

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沙发
jjjyufan| | 2018-1-10 11:29 | 只看该作者
多少时间写一次？

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混子黄 2018-1-11 09:25 回复TA
2S更新一次数据。 
板凳
chunyang| | 2018-1-10 20:20 | 只看该作者
如果是数据总线中的某一位输出值恒定，说明是数据总线IO锁死或损坏。掉电重启恢复为锁死，此为闩扣现象。与掉电重启无关，说明是损坏。这两种情况均与设计不良有关，需要分析具体电路查找原因。
如果是某一地址读出时某位输出值恒定，且写入数据确定正常，说明是存储器本身的问题，这跟元件质量有关，需分析是否为翻新件还是偶发情况。

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混子黄 2018-1-11 09:27 回复TA
属于第一种情况，数据总线的某一位输出恒定，每次的位置也不相同。 
地板
redleaves| | 2018-1-10 22:05 | 只看该作者
可能是读写时序冲突。看真值表，I/O PIN为DOUT时以及之前和之后的一段时间，其它芯片连到I/O数据线的端口必须为High-Z或输入状态，不能为输出状态。否则其它芯片的输出可能与SRAM的输出冲突，烧坏SRAM的I/O PIN。

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混子黄 2018-1-11 09:33 回复TA
2片SRAM，片选肯定不会同时有效，其中一片肯定是High-Z。最关键的是大多数情况都是那一片坏的。 直接是DMA的方式通过指针读和写的，读和写存在2S差。  
5楼
chunyang| | 2018-1-11 12:37 | 只看该作者
注意，不要使用“评论”，应点击“回复”，论坛界面设计有问题，已跟站方说过，在未改之前，多留点心吧。

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6楼
chunyang| | 2018-1-11 12:39 | 只看该作者
前帖已说过，如果是IO损坏可以肯定是设计问题，楼主应给出电路图，所有与IO相连的回路必须给出，另观察是否为特定的某一IO损坏，还是总线任一IO都可能损坏。

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7楼
pecv| | 2018-12-12 14:05 | 只看该作者
最后结果是什么原因？外部总线冲突还是芯片本身问题导致的？

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