晶体管的输出电容？

发表于 2008-2-11 04:35

我是新手，请大家多指教。<br />如果不考虑晶体管电路的外部电容只考虑其内部电容效应的话，那么它应该具有两种电容效应即发射结电容和集电结电容。那么晶体管工作在开关状态时其输出状态究竟是哪一个结电容起主要作用呢，就是说晶体管由饱和导通到截止的过渡时间中起决定作用的因素是什么呢（即所谓的关断时间）。我所知道的是该时间的长短与饱和程度有关（与饱和电流的大小成正比）。除此以外还有什么主要因素，我就有些糊涂了，恳请大家赐教否？<br />祝大家新春愉快，给大家拜年了！

发表于 2008-2-11 09:27

如果用共发射极电路，影响最大的是米勒电容，即集电结电容经反馈反射到输入端的等效电容。这在MOSFET中尤为明显。<br /><br />双极型晶体管由饱和导通到截止的过渡时间中起决定作用的因素是晶体管的存储时间，各结电容并不是最主要的因素。

晶体管的输出电容？

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