本帖最后由 czhlcai 于 2011-6-23 19:17 编辑
终于等来了3象限可控硅，BTA201-800E，结果越来越糊涂，有点搞不明白了。
去掉RC吸收,Q3焊接可控硅,Q4不焊。测试Q3 1S正转,1S反转(因无Q4，相当于停止电机)，运行1小时正常无故障。
焊上Q4，1S正转,1S反转（中间有60mS的间隔，防止两相同时导通）结果两三下就又可控硅完了。
我想查查可控硅损坏的原因。
1.BTA201是1A，电机最大只有120mA，电流应该不会损坏的，那就剩电压了。
2.当单方向转1S停1S时，无RC吸收网络，BTA201正常运行1小时，分析为可控硅当G极关断，电机电流很小(IH MAX=12mA 25度)时，BTA201关断。因电机为感性负载，电流滞后电压90度，关断时电压达到最大电压假设220V*1.414=311V，<12mA形成的感应电动势应该不会很大（估计<100V），所以感应电压加电源电压绝不会超过500V，对于BTA201的800V应该是足够了。
所以我之前分析的，“当可控硅小于维持电流后，比如20mA，此时电机线圈里还有20mA的能量，产生感应电动势，造成电压过高，损坏可控硅。”我认为不是这样的。
3.电流过0时，BTA201关闭，估计BTA201承受dVcom/dt很高，但对BTA201 600V/uS应该不成问题吧。
所以单方向分析的话，应该不会损坏可控硅，实验也是这样，运行1小时没出现问题。
下面是拆的电机图，其实挺简单，就是交流同步电机，2个绕组而已，图中只拆了1个绕组，电机不大。
为什么电机正反切换时就这么容易损坏可控硅呢。
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