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[电路/定理]

并联使用MOS大电流烧毁，求解决方案

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qq543592229|  楼主 | 2018-1-20 18:57 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 电流, 并联, AC, IO
本帖最后由 qq543592229 于 2018-1-22 11:39 编辑

原理图如下图。锂电池组保护板上多颗并联N-MOS，选型的单颗MOS 150V 100A 0.004R，5颗MOS并联内阻0.0008R。测试中用6A电流放电测试并联的5颗MOS没有问题，测得压降4.5mV。当用26A电流的放电的时候 ，MOS就被烧毁，压降有1.8V，温度升温快，有150摄氏度+。 测试了几次都被烧坏，不知道是什么原因，PCB上是加了铜条的，电流过50A都没有问题。MOS驱动电路

矩阵

IO给控制信号，当IO低或者悬空，通过DSG就是高电平，当IO为高时，DSG是低电平。DSG控制并联放电MOS，CHG充电控制 原理和放电一样。



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沙发
摸摸| | 2018-1-20 23:16 | 只看该作者
没有加均流电阻？

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板凳
corset| | 2018-1-21 11:40 | 只看该作者
能不能把第二张图捯饬捯饬再发上来，里面的一些网络都不知道接哪儿去了，让大家只有猜。

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地板
qq543592229|  楼主 | 2018-1-22 11:36 | 只看该作者
摸摸 发表于 2018-1-20 23:16
没有加均流电阻？

没有，只用了一个串联电阻

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5楼
gx_huang| | 2018-1-22 13:42 | 只看该作者
测试一下2个MOS管的各端电压，看看是哪个MOS管没有饱和导通。

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6楼
vftom3| | 2018-1-23 19:38 | 只看该作者
栅极电压低了

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7楼
Siderlee| | 2018-1-23 20:32 | 只看该作者
这种多个并联的一定要注意均流；
R131  5.1Meg？？？？

你这个就是个低频状态，查门级信号

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8楼
fzp121| | 2018-1-23 21:02 | 只看该作者
Vgs是否随着电流变化也有变化？

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9楼
gaoxe| | 2018-1-24 17:34 | 只看该作者
驱动功率欠佳？电压  内阻保证FET进入饱和。截止开关状态？

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10楼
st.you| | 2018-1-26 16:30 | 只看该作者
MOS并联,栅极要独立加电阻的,要不然很容易震荡.

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11楼
maychang| | 2018-1-26 17:11 | 只看该作者
st.you 发表于 2018-1-26 16:30
MOS并联,栅极要独立加电阻的,要不然很容易震荡.

我也这样猜测。

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12楼
cpu51| | 2018-1-26 17:27 | 只看该作者
又想请大神解决问题，又不想给大神看全图。

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13楼
七颗咖啡豆| | 2018-1-30 16:57 | 只看该作者
没有什么问题是一个示波器不能解决的，如果有，那就用两个示波器

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14楼
william008| | 2018-1-30 17:27 | 只看该作者
我猜想是米勒电容造成的。
大电流的MOS管的米勒电容都不小，R131有5.1M，造成MOS管开通很慢，甚至有剧烈震荡，开关损耗很高，所以烧了。
你用示波器看看MOS管的波形就知道了

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15楼
emco| | 2018-2-18 11:31 | 只看该作者
MOS管没有完全导通，栅极电压太低了，你可以测一下MOS管栅极的波形看一下。

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