flash用作EEPROM问题

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 楼主| naonaostudy 发表于 2018-1-26 14:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
如题,求大神救急!
1.使用cy8C29466的Flash充当EEPROM。在相关datasheet中看到可以直接E2PROM_E2Write,但是跟bFlashWriteBlock不同的是写之前没有擦除操作,那么定义伪EEPROM的区域怎么擦除呢?
2.烧写程序文件时,是对整个flash都进行了擦除操作了?还是根据程序文件大小部分擦除呢?烧写了两个不同的程序文件,第二次读取第一次烧写在EEPROM中的内容为0(实际烧写数据不是0),是否认为程序文件烧写时对整个flash擦除了?
谢谢!
 楼主| naonaostudy 发表于 2018-1-31 11:37 | 显示全部楼层
烧写程序时,整个flash区域全擦
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