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关于MCU Flash老化测试

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forget121|  楼主 | 2018-1-26 16:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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雪山飞狐D| | 2018-1-27 12:14 | 只看该作者
反复存储数据的地方用24 I2C系列把,可以写100W次,MCU内部的flash 大概只有1W-10W次

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chunyang| | 2018-1-27 18:14 | 只看该作者
器件老化和FLASH的擦写寿命测试是完全不同的两码事。

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forget121|  楼主 | 2018-1-28 16:07 | 只看该作者
chunyang 发表于 2018-1-27 18:14
器件老化和FLASH的擦写寿命测试是完全不同的两码事。

春阳大哥,帮忙解释下,我看客户在用WIFI芯片会做老化测试,里面已经内置了Flash等,只有一颗单芯片.
不是很了解他们的做法。

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forget121|  楼主 | 2018-1-28 16:08 | 只看该作者
雪山飞狐D 发表于 2018-1-27 12:14
反复存储数据的地方用24 I2C系列把,可以写100W次,MCU内部的flash 大概只有1W-10W次 ...

不是指外部的eeprom,芯片的老化测试。
我的理解是指内部的Flash,可能不对。

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chunyang| | 2018-1-28 22:52 | 只看该作者
forget121 发表于 2018-1-28 16:07
春阳大哥,帮忙解释下,我看客户在用WIFI芯片会做老化测试,里面已经内置了Flash等,只有一颗单芯片.
不 ...

那是针对WIFI芯片,而不是FLASH。FLASH芯片的老化跟其它器件一样,并不涉及反复擦写。

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雪山飞狐D| | 2018-1-28 23:53 | 只看该作者
forget121 发表于 2018-1-28 16:07
春阳大哥,帮忙解释下,我看客户在用WIFI芯片会做老化测试,里面已经内置了Flash等,只有一颗单芯片.
不 ...

  wifi 的话应该是天线和PCB部分还有一些电感电容等阻抗器件,连续通电工作使其达到稳定状态或者测试出异常的器件,一般为连续全速工作一周左右的时间,一周以后重新测试信号是否完好(有一些确实会损坏或者信号出现偏差)

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forget121|  楼主 | 2018-1-29 08:14 | 只看该作者
雪山飞狐D 发表于 2018-1-28 23:53
wifi 的话应该是天线和PCB部分还有一些电感电容等阻抗器件,连续通电工作使其达到稳定状态或者测试出异 ...

了解,谢谢你的解析,学习了。

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