Flash 的持久期

发表于 2018-1-27 14:50

MA86E/L508 规格书上写到内置 Flash 的持久期是100写周期，我对同一地址进行IAP读写测试的时候发现超一万次了数据还可以进行擦写。

发表于 2018-1-27 14:53

你怎么测的啊

发表于 2018-1-27 14:56

用串口软件每隔50ms对单片机发送一次写读命令。

发表于 2018-1-27 14:59

是芯片的资料有所保留还是我的测试办法有问题?

发表于 2018-1-27 15:02

芯片可重複寫入次數的測試是屬於破壞性測試，有一定的測試方式

发表于 2018-1-27 15:06

規格書上的寫入次數是出廠新品的芯片可以寫入的保證次數

发表于 2018-1-27 15:09

嗯，使用超過保證的寫入次數，不代表每個芯片每個批次都是如此

发表于 2018-1-27 15:15

是的，使用超過寫入次數，用戶只能自行控管芯片Flash資料的可靠度，芯片廠家不擔保。

发表于 2018-1-27 15:19

我实测过89/ MA805系列的读写，都有10万次以上，但笙泉规格书都只有2万次

发表于 2018-1-27 15:23

笙泉很保守，2万次是台积电（TSMC）保证的

发表于 2018-1-27 15:26

嗯，懂了，呵呵

发表于 2018-1-27 15:28

那就结贴了哈

发表于 2018-1-31 13:32

规格书上写的次数是保守的保证次数，实际测试的个体有可能会永远大于这个值。