三极管工作在放大区时，集电结的疑问？

发表于 2011-6-8 20:46

在学习三极管时，有一个疑问：
三极管工作在放大区时，发射节正偏，集电节反偏。

当集电结反偏时，也不工作在击穿区。为什么这时候PN节的内电场不会越来越大，造成对电流越来越大的阻力？

谢谢！

发表于 2011-6-9 07:37

自已顶一下。
请大家说说自己的猜想也行啊！

发表于 2011-6-9 10:40

这时集电结的内电场变大，在反偏电场的作用下，电子都被拉走了，而此时基极的电子浓度由于发射结的作用非常高，所以集电结就存在一个浓度差，有了浓度差，电子就会从高浓度的地方向低浓度的地方运动，所以基极的电子浓度在发射结那边最高，在集电结那边最低，而且在实际工艺中，基极往往做的很薄，当电子进入集电极，立即在电场力的作用下被拉走，所以并不会阻碍电流

发表于 2011-6-10 13:27

楼主的问题说到底还是基区电荷存储的问题

发表于 2011-6-10 13:31

另外楼主中所说的内电场越大，为什么不会阻碍越大
对于一个普通的二极管中的PN结，反偏时内电场越大，对多子的扩散阻碍越大，而少子早就因浓度很小而达到反向饱和电流

但对正常工作中的三极管，其反偏的集电结是少子主导截流，当然不会如此

发表于 2011-6-10 22:37

谢谢大家。

我感觉有点像齐纳击穿。
和齐纳击穿有什么区别呢？

发表于 2011-6-11 10:24

还没有到齐纳击穿那种程度

发表于 2011-6-11 21:51

谢谢 mo910,ghost1325。

基本上有点感觉了。能够用自己的逻辑来理解了。
非常感谢！

发表于 2011-6-12 14:11

留名一下
等几天再好好的理解一下
最近在看FET

三极管工作在放大区时，集电结的疑问？

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