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关于PN结的疑惑?

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楼主
izefei|  楼主 | 2011-6-11 10:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
模电里对于PN结正向导通的描述是:正向偏置,加剧扩散运动,耗尽层变窄,消弱了内电场。这些东西本来早已烂记于心,可今天重温基础知识,突然感觉这种表述有点问题。
毫无疑问,正向偏置加剧扩散运动,但是我感觉内电场随之也是加强了,而不是减弱了。我们都知道,pn结即使是正向导通,也有一个导通电压。如果现在pn结两端的正向电压小于导通电压,pn结就没有电流通过,但是这个电压已经加剧了扩散运动,所以原来的扩散和漂移平衡被打破,从而达到新的平衡。新的平衡中的扩散运动比原来的强了,所以新的平衡中的漂移运动也肯定比原来的强了,依然漂移增强了,就说明内电场是增强了,而不是减弱了。


本人对基础知识掌握不太牢固,忘各位过路大侠批评指正。

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沙发
别叫我菜鸟| | 2011-6-11 13:38 | 只看该作者
没细看你的描述。
正向电压越大,加在PN结两端的外电场越大U=Ed,而内电场要平衡外电场必须减小d,而U基本不变,所以内电场E增大,d减小也就意味着耗尽层变窄。

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板凳
azhu3746| | 2011-6-11 20:06 | 只看该作者
我现在也在复习模电,对于这个问题我这样理解不知道对不对。
在PN结做好时,PN结内扩散与漂移运动会达动态平衡。
当正向偏置时,外电场打破内电场的阻碍扩散运动的效果。由于外加电压也要形成电流回路,外加电源负极释放的自由电子流经耗尽层的时候电势能减小了,也就是说受到的阻力没那么大了,这样自由电子能更多的进入耗尽层。很多自由电子进入耗尽层的结果是自由电子会与耗尽层靠近N区的正离子中和了,而N区本征激发的少子是空穴,一出来就会被自由电子复合。这样耗尽层变薄。而另一方面自由电子空穴的浓度差异仍旧存在,这样扩散运动出现自由电子空穴复合又会让耗尽层变厚。这样只要外电压不变,耗尽层一薄一厚也终归要平衡。所谓内电场增强与减弱的说法完全是要看耗尽层是厚还是薄吧。
不知道对不对,请高手指教。

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地板
MasterLonely| | 2011-6-12 12:26 | 只看该作者
我也正在复习。说说个人理解。
第一种想法:
漂移变强了,但扩散也变强了。内电场应该是漂移和扩散共同决定。
第二种想法:
从大的方面想,外电场和内电场方向相反。内电场肯定会受到外电场的压制。内电场对外程现变小了。

希望和大家一起讨论

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5
pjy| | 2011-6-12 18:57 | 只看该作者
内电场是那些不能够移动的由掺入杂质的带电原子核(离子)形成的,浓度有限,P区负离子,N区正离子,PN结的耗尽层(理解:耗尽的含义),很少有能够自由移动的电荷,只有那些被共价键固定的,相见而不能相遇的带电粒子(当然当受到的冲击够大的时候,也会雪崩),类似于电容的极板,一边带正电,一边带负电,形成了所谓的内建电场,PN结正偏的时候,耗尽层很薄,是因为多子的浓度高,堆积在耗尽层的两侧并向对方渗透,在渗透的过程中相遇就会复合,释放能量(发光、发热等)等等,内电场减弱,PN结反偏的时候,经过分析,耗尽层会变宽,内电场会增强......

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6
and| | 2011-6-12 23:30 | 只看该作者
"
如果现在pn结两端的正向电压小于导通电压,pn结就没有电流通过
"
这句是错误的。PN结一直有电流的,跟PN结偏压成指数关系的那个公式。

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7
azhu3746| | 2011-6-17 13:45 | 只看该作者
楼主:
   PN结正向偏置时,外加电场与内建电场的方向相反,内建电场必定减弱。由于P区与N区无孤立离子,这样对于外加电场而言可以认为是电阻极小的,那么外加电场可以直接认为是加在内建电场两端。这样内电场对多子的扩散运动的阻碍作用变小了,外加电场驱使扩散运动顺利进行。这样相对而言,空间电荷区变薄,多子扩散运动占绝对主流,而多子是靠外加电源提供的自由电子不断补充,在P区与N区自由电子总与空穴的运动方向相反。你说的,这种情况下,扩散运动加剧我认可,内电场也加强我不认可。另外耗尽层不可能无限变薄,因为存在势垒,当势垒减小到一定程度时,自由电子与空穴就可以直接越过势垒区(耗尽层)去目标区(空穴去N区,自由电子去P区)而不再与正负离子中和。因此耗尽层尽管在扩散运动占主流的情况下,仍然是变窄而不是变宽,那么内电场由于空间电荷减少只会减弱。
漂移运动是由于内电场的存在才发生但是少子的量在PN结做好的时候就固定了。内电场变弱,漂移运动是不会加强的(无论少子的数量与少子运动的速度都不会)。漂移运动只会让耗尽层变窄。
PN结新的平衡不再是未加电压时的扩散与漂移的平衡,应该是外加电压与内电场共同作用的平衡吧。
以上是我个人的一点总结不知对不对。

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way1258| | 2011-6-20 10:45 | 只看该作者
:L

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sunflower44| | 2011-7-7 17:59 | 只看该作者
5# pjy
你所说的:
PN结正偏的时候,耗尽层很薄,是因为多子的浓度高,堆积在耗尽层的两侧并向对方渗透

这里面的多子浓度高,是不是因为有外加电源啊?正偏的时候,外加电压在N区 提供了大量的电子,导致N区多子浓度增高?

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