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同步DC-DC变换器中MOS管选型

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楼主
沙发
EAMCU| | 2011-6-14 10:41 | 只看该作者
google上查阅 MOSFET 开关损耗,可知答案

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板凳
lczhoujq|  楼主 | 2011-6-14 11:12 | 只看该作者
2# EAMCU
还请尊驾详示?

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地板
victor720708| | 2011-6-14 14:10 | 只看该作者
这是一个半桥推挽电路,不能用相同的MOS管,一个是P沟道,一个是N沟道的MOS管。

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5
lczhoujq|  楼主 | 2011-6-14 15:36 | 只看该作者
4# victor720708
驱动高低MOS是不同的驱动源,是应该选择两个NMOS,但我不明白上管与下管为什么要不一致

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6
dadodo| | 2011-6-14 15:47 | 只看该作者
一个要开关损耗低,一个要开通损耗低,一种管子不能同时满足要求,那就用两个

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zhaohe2001 + 1
7
xzlhao123| | 2012-7-19 11:20 | 只看该作者
要下载

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yanemperor| | 2012-7-20 08:59 | 只看该作者
一般考虑大功率情况,高边的NMOS的导通时间长,需求是导通阻抗低,而低边的则注重开关损耗。这个电路的高边是BOOST DRIVER驱动,都是nmos,不是上面victor720708说的高边用P管

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