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射极偏置电路求解

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思宁|  楼主 | 2011-6-15 13:05 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
思宁|  楼主 | 2011-6-15 13:07 | 只看该作者
怎么感觉,上面的文字说明与下面的公式是矛盾的呢

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板凳
gjg191| | 2011-6-15 13:44 | 只看该作者
动 和 静

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地板
efen| | 2011-6-15 16:05 | 只看该作者
文字说的是Re引起的负反馈的过程,是动态的
公式是计算静态工作点的

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5
HWM| | 2011-6-15 17:30 | 只看该作者
re LZ:

没有矛盾。

不能从Vbeq开始看。应该是:温度增加,导致 Icq 增加。从式子 Icq ≈ (Vbq - Vbeq) / Re 可知 Vbeg 将减小,致使 Icq 增加受限。

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6
思宁|  楼主 | 2011-6-15 19:25 | 只看该作者
5# HWM 老师,还是不怎么明白,是不是IB=Vbeq/rbe而Vbeq减小,所以IB就跟着减小,然后使Ic减小的?

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7
HWM| | 2011-6-15 19:37 | 只看该作者
to 6L:

是的,Vbeg 减小导致 Ib 降低,然后使 Ic 增加幅度减小(注意,不是Ic减小)。温度补偿使得 Ic 随温度的变化减小了,但还是有一定量的变化。

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8
思宁|  楼主 | 2011-6-15 19:49 | 只看该作者
7# HWM

老师,再看看这个图,其中Rt是负温度系数的热敏电阻,像下面这样分析对吗?
如果对的话,在1楼发的图是VE增大,而这个图是VE减小,都能够稳定静态工作点。
那么分析电路的时候,与VE没有关系吗?只看VBEQ

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9
HWM| | 2011-6-15 19:57 | 只看该作者
to 8L:

这是通过Rt随温度的改变而改变Vb,进而改变Vbeg,再由此影响Ic。其实,此地Re也起着稳定温飘的作用(类似前面)。

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10
思宁|  楼主 | 2011-6-15 19:59 | 只看该作者
9# HWM
8L的VE是下降的对吧。而1L的是上升。那么VE不是主要关系了,是这样吗?

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11
lovemcu110| | 2011-6-15 20:28 | 只看该作者
这是《模拟电子技术》上的

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12
思宁|  楼主 | 2011-6-15 20:43 | 只看该作者
11# lovemcu110
是的,看不懂

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13
思宁|  楼主 | 2011-6-15 20:47 | 只看该作者
3# gjg191
能不能说清楚点?谢谢

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14
HWM| | 2011-6-15 21:11 | 只看该作者
re 10L:

Vb 下降后,由于Ie和Ic随之下降,所以Ve也下降。但Ve下降的量没有Vb多,也就是Vbeq = Vb - Ve 是减小的。

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思宁 + 1 热心的老师
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思宁|  楼主 | 2011-6-15 21:18 | 只看该作者
非常感谢HWM老师

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16
iC921| | 2011-6-16 15:28 | 只看该作者
这个讲的稳定是相对的。

没有Re时,IEQ和ICQ增加就增加了,但是,有了Re以后,增加量就会被Re抵去一部分。

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17
zjy.zz| | 2011-6-16 23:45 | 只看该作者
就找个高职的电子技术书看看吧, 它理论讲的通俗些好懂。

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