MOS管的阈值电压问题——请给老衲指点指点迷津

发表于 2011-6-16 10:50

想问问关于NMOS或PMOS中，spec一般写着 min 2V typ 3V max 4V

实际上测试出开启关断的阈值电压为3V左右。
请问2到4V的阈值是由哪些因素决定的？由管子本身的材料结构还是外围参数决定的？

因为这个阈值关系到我的判断，而且要很准确。请赐教。

发表于 2011-6-16 11:03

“老衲”还要别人来指点迷津？

发表于 2011-6-16 11:07

需要，maychang爷，给点指点啊。
我是应用在电源前端，分压完后给NMOS 的G端，当分压后的值大于3V后，NMOS关断。
看了spec是2到4V的阈值电压，实际测试的是3V。请问这个阈值电压和什么有关系，如何把握。
我希望是个定值，我好把握关断的电压。

发表于 2011-6-16 11:07

大于3V开启，说错了

发表于 2011-6-16 11:11

此值由生产工艺决定。
由于生产的分散性，不可能每支管子完全一致，故厂家给出典型值最小值和最大值。只要某具体管子此值在最大最小值之间，均为合格。

发表于 2011-6-16 11:15

我想知道这个生产出来的管子的差异有多大？每个厂家不同？是否有什么数据可以体现？
若我的设计只能靠供应商来掌控，就相当于不可控了。
也就是说这个方案行不通了。。。。

发表于 2011-6-16 13:13

6楼：
同一厂家生产的管子，甚至同一批次的管子，该值都有一些差别。就像同一盒里面的电阻，其数值有差别一样。

发表于 2011-6-16 14:27

我也不懂这个问题

发表于 2011-6-16 15:14

意思就是说任何一只管子只要电压在2-4v之间就能使它开启至于具体多少那就GOD KNOWS了
老爷子已经说了是由于生产的离散性造成的

发表于 2011-6-16 17:12

比如说你打篮球每次都能投中三分球，但是你能保证每次球的重心都会穿过篮圈的中心吗，但是没有穿过中心，你就说它不是三分球啦？道理就是这样啦，只要是三分球，你管他是怎么投进去的，如果你是裁判，你非要看到球过中心才判是三分球，那你觉得这个裁判还有可能再当下去吗，你的明白！

发表于 2011-6-17 04:52

Vth主要由工艺参数来决定(费米能级，参杂，栅氧厚度等等)，和电路形式关系不大
如果衬底端是单独引出的，则可以通过调节Vsb来调节Vth，调节范围大约为一半到1/3

发表于 2011-6-17 06:53

开通的区间值！

发表于 2011-6-17 08:38

看了LZ的需求，可能三极管更合适

发表于 2011-6-17 08:54

管子离散性决定，不可能每支管子完全一致，只要此值在最大最小值之间，均为合格。

发表于 2011-6-17 09:03

要相对精确电压，还是用比较器这类电路带MOS管吧！

发表于 2011-6-17 10:01

比方说,原本打算找个MM,没有想到看走眼却找来了Gay
模拟器件的参数都是离散性的,它由生产工艺非理想性引起的. 机械上有个误差范围,称为公差.

发表于 2011-6-20 10:04

同样的问题问下，Breakdown Voltage V(BR) Min. 42 Max.50

如上TVS的雪崩电压spec里有最小的42V，最大50V，这个参数的意义和上面提到的阈值，是同样的道理？

发表于 2011-6-20 14:35

一样的道理。