MOS管的阈值电压问题——请给老衲指点指点迷津

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 楼主| frongzs 发表于 2011-6-16 10:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
想问问关于NMOS或PMOS中,spec一般写着 min 2V   typ 3V  max  4V

实际上测试出开启关断的阈值电压为3V左右。
请问2到4V的阈值是由哪些因素决定的?由管子本身的材料结构还是外围参数决定的?

因为这个阈值关系到我的判断,而且要很准确。请赐教。
maychang 发表于 2011-6-16 11:03 | 显示全部楼层
“老衲”还要别人来指点迷津?
 楼主| frongzs 发表于 2011-6-16 11:07 | 显示全部楼层
需要,maychang爷,给点指点啊。
我是应用在电源前端,分压完后给NMOS 的G端,当分压后的值大于3V后,NMOS关断。
看了spec是2到4V的阈值电压,实际测试的是3V。请问这个阈值电压和什么有关系,如何把握。
我希望是个定值,我好把握关断的电压。
 楼主| frongzs 发表于 2011-6-16 11:07 | 显示全部楼层
大于3V开启,说错了
maychang 发表于 2011-6-16 11:11 | 显示全部楼层
此值由生产工艺决定。
由于生产的分散性,不可能每支管子完全一致,故厂家给出典型值最小值和最大值。只要某具体管子此值在最大最小值之间,均为合格。
 楼主| frongzs 发表于 2011-6-16 11:15 | 显示全部楼层
我想知道这个生产出来的管子的差异有多大?每个厂家不同?是否有什么数据可以体现?
若我的设计只能靠供应商来掌控,就相当于不可控了。
也就是说这个方案行不通了。。。。
maychang 发表于 2011-6-16 13:13 | 显示全部楼层
6楼:
同一厂家生产的管子,甚至同一批次的管子,该值都有一些差别。就像同一盒里面的电阻,其数值有差别一样。
lugqxp 发表于 2011-6-16 14:27 | 显示全部楼层
我也不懂这个问题
原野之狼 发表于 2011-6-16 15:14 | 显示全部楼层
意思就是说任何一只管子 只要电压在2-4v之间就能使它开启 至于具体多少 那就GOD KNOWS了
老爷子已经说了 是由于生产的离散性造成的
bobo1957 发表于 2011-6-16 17:12 | 显示全部楼层
比如说你打篮球每次都能投中三分球,但是你能保证每次球的重心都会穿过篮圈的中心吗,但是没有穿过中心,你就说它不是三分球啦?道理就是这样啦,只要是三分球,你管他是怎么投进去的,如果你是裁判,你非要看到球过中心才判是三分球,那你觉得这个裁判还有可能再当下去吗,你的明白!
bbyeah 发表于 2011-6-17 04:52 | 显示全部楼层
Vth主要由工艺参数来决定(费米能级,参杂,栅氧厚度等等),和电路形式关系不大
如果衬底端是单独引出的,则可以通过调节Vsb来调节Vth,调节范围大约为一半到1/3
llp133 发表于 2011-6-17 06:53 | 显示全部楼层
开通的区间值!
mytempid 发表于 2011-6-17 08:38 | 显示全部楼层
看了LZ的需求,可能三极管更合适
林锋123 发表于 2011-6-17 08:54 | 显示全部楼层
管子离散性决定,不可能每支管子完全一致,只要此值在最大最小值之间,均为合格。
zhufdf 发表于 2011-6-17 09:03 | 显示全部楼层
要相对精确电压,还是用比较器这类电路带MOS管吧!
nongfuxu 发表于 2011-6-17 10:01 | 显示全部楼层
比方说,原本打算找个MM,没有想到看走眼却找来了Gay
模拟器件的参数都是离散性的,它由生产工艺非理想性引起的. 机械上有个误差范围,称为公差.
 楼主| frongzs 发表于 2011-6-20 10:04 | 显示全部楼层
同样的问题问下,Breakdown Voltage V(BR)   Min.    42   Max.50

如上TVS的雪崩电压spec里有最小的42V,最大50V,这个参数的意义和上面提到的阈值,是同样的道理?
伟林电源 发表于 2011-6-20 14:35 | 显示全部楼层
一样的道理。
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