Nexfet技术是TI在电源管理方面的重要创新成果，其将直角通电法（vertical currentflow）与横向功率MOSFET完美结合在一起。该技术具有符合业界标准要求的封装外形尺寸，不仅能提供很低的导通电阻，而且只需要极低的栅极电荷，对于现有的芯片平台而言，这种组合在以前是不可能实现的。
NEXFET技术无论对于N通道还是P通道的功率MOSFET器件，均能获得较高的性能。设计人员因此从轻载到满载条件下，都能达到90%的电源效率，并具有较高的输出电流和较低的占空比，这在分立式设计中是一项重大突破。
有需要的可以去以下链接下载TI NEXFET 选型手册
http://focus.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?baseLiteratureNumber=slit121&fileType=pdf |
楼主
标题置顶
标题高亮
