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ARM9核心板叠层方案请教

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xieyifu|  楼主 | 2011-6-27 16:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
小弟最近接到一个项目 ,一块ARM9,一块SDRAM,和一块Flash memory,架构的核心板。ARM9采用BGA封装,老板要求用四层板,我想用这样的叠层方式,不知道是否合理,地层-信号/电源-信号/电源-地层,中间两层走信号和电源混合。顶层和底层不走线,进行铺地处理。另外SDRAM的频率是166MHZ。不知大侠们有没有更好的建议。

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沙发
wuyuehua19| | 2011-6-27 17:28 | 只看该作者
感觉4层板还是蛮难的,2个平面层不能少,用2个布线层完成BGA的所有引脚扇出还是挺有压力的,可能我水平比较菜:$
另外,我感觉4层的话最好是 信号-地-电源-信号,虽然这样不能很好的抑制电磁辐射,但布线相对容易,不用太多考虑相相邻层走线平行问题,而且电源和地也有一定的退偶左右。个人见解

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板凳
Forward001| | 2011-6-27 20:17 | 只看该作者
这板子上,在那SDRAM处注意点,如果线过长的话,就做等长处理,拉开线间距(减少串扰)。
你的那叠层方式,如果在TOP放器件的话,那这一所谓的地层也算是废了。
然后你的SDRAM的线要有一个完整的参考平面,你该考虑,这个线走哪一层或二层,能有完整平面参考(回流路径)。
arm双电压,DRAM电压的分布。

你这叠层适合在元件比较少,特殊电磁场环境,还有就是射频。
个人见解,如有不对地方,请明示。:handshake

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地板
xieyifu|  楼主 | 2011-6-28 09:55 | 只看该作者
现在又遇到一个问题:就是SDRAM是数据总线是16位的而Flash的数据总线是8位的,这个在走线的时候该怎么弄呢?是只需要从ARM到SDRAM的16位数据总线等长,再从SDRAM拉8条数据总线到flash;还是从ARM到flash都要等长处理,还请大侠帮忙!

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wuyuehua19| | 2011-6-28 10:47 | 只看该作者
只管SDRAM就好了

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jjjyufan| | 2011-6-28 12:26 | 只看该作者
建议叠成:顶 gnd power 底 顶底可以放器件,power层,电源走线。不用分割铜皮,离电源线距离原点可以走线,否则我估计你走不通的。
至于等长,只考虑SDRAM即可,这个速度也不要要求太严的。

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7
kuka| | 2011-7-13 13:55 | 只看该作者
你的sdram数据总线和flash数据线是共用的啊?这事我以前也干过一次,结果sdram只能稳定的能跑64M ,哈哈

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