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光耦 可控硅的疑问!

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dubuchu|  楼主 | 2011-6-27 18:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
这是一个光耦控制可控硅的电路,电源是AC220V,发热盘800W,请问各位工程师,图中R5(2K/1/4W)是限流作用吗?手头上有几台R5击穿了(烧黑了),不知是何原因?

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沙发
宋业科| | 2011-6-27 19:34 | 只看该作者
是的。

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板凳
dubuchu|  楼主 | 2011-6-27 19:38 | 只看该作者
谢谢你的回复,这个电阻功率够吗?

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地板
dubuchu|  楼主 | 2011-6-27 19:39 | 只看该作者
最近出现几台,这个电阻烧坏了。

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5
看见未来| | 2011-6-27 20:00 | 只看该作者
电阻只有1/4瓦,而且电阻不是很大,发热盘电阻也不大,接220V交流,肯定是烧坏了。

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6
chunyang| | 2011-6-27 23:11 | 只看该作者
楼主电路的设计有问题,电热丝的热态电阻和冷态电阻相差很大,必须考虑这一点。

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7
dubuchu|  楼主 | 2011-6-27 23:40 | 只看该作者
谢谢春阳的回复,如果把该电阻的功率加大应该有改善吧,或者有什么建议呢?期待春阳前辈的回复。

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8
chunyang| | 2011-6-27 23:46 | 只看该作者
你要根据电热丝的冷态电阻和可控硅需要的触发电流来计算合适的阻值和功率,同时兼顾热态时的触发电流。

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9
dubuchu|  楼主 | 2011-6-27 23:51 | 只看该作者
我再好好调整看看,谢谢春阳的指点!

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10
123jj| | 2011-6-28 06:59 | 只看该作者
明显电路设计缺陷,器件匹配出了问题!

解决方法:
1. 减小R5阻值,330-470欧,使得BTA16两端在较低的电压降时,就能可靠触发BTA16,以降低实际上的R5功耗。
2. 改用带过零触发的光电可控硅,如MOC3041等,对BTA16进行过零触发,进一步减少R5上的功耗。

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11
xwj| | 2011-6-28 08:52 | 只看该作者
BTA16触发不够或者损坏开路时,必然烧R5

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123jj| | 2011-6-28 10:01 | 只看该作者
LZ的原因是BTA16触发不够造成的! 造成烧毁R5

BTA16如损坏,必定短路,不会开路的,因此不会烧毁R5

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13
桃花幻梦| | 2011-6-28 10:10 | 只看该作者
跟着学习了

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14
dubuchu|  楼主 | 2011-6-28 19:21 | 只看该作者
谢谢各位的回复,R5的功率怎么得出呢?

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15
wangguojun2010| | 2011-6-28 19:32 | 只看该作者
有谁知道R1的作用呢

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16
xwj| | 2011-6-29 08:18 | 只看该作者
R1的作用是个上面并联的那个0.47uF/400V电容放电,防止电荷累积 及断电后残余电荷伤人

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17
移山的愚公| | 2011-6-29 10:07 | 只看该作者
这个电路有严重的设计缺陷,BTA16是双向可控硅,这种连接只能半波工作光耦输出电压降很低楼主用220V推可控硅栅极,功率自然都加到R5上了。

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gx_huang| | 2011-6-29 12:45 | 只看该作者
先让设备正常工作一分钟,拔下电源,手模一下电阻,如果很烫,说明设计有问题。
当电压过零时,电压比较低,可控硅如果没有触发,则电压全加到R5上,功耗会比较大。
所以R5太大反而功耗更大。一般取470欧姆左右,功率也要大一些。

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dubuchu|  楼主 | 2011-6-29 13:17 | 只看该作者
楼上,如果R5取470,触发电流会不会太大了!

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llp133| | 2011-6-29 16:03 | 只看该作者
让电阻承受220V 电压?

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