TI现在关于LF24x写入FLASH的工具最新为c2000flashprogsw_v112。可以支持LF2407、LF2407a、LF2401及相关的LF240x系列。建议使用此版本。在http://focus.ti.com/docs/tool/toolf...灿写松招闯绦颉?/a> 在使用这个工具时注意：
一,先解压,再执行setup.exe。
二、进入cc中,在tools图标下有烧写工具;
1、关于FLASH时钟的选择,此烧写工具默认最高频率进行FLASH的操作。根据目标系统的工作主频重新要进行PLL设置。方法：先在advance options下面的View Config file中修改倍频。存盘后,在相应的目录下（tic2xx\\algos\\相应目录）运行buildall.bat就可以完成修改了。再进行相应的操作即可。
2、若是你所选的频率不是最高频率,还需要设定你自已的timings.xx来代替系统默认的最高频率的timings.xx。例如LF2407a的默认文件是timings.40。Timings.xx可以利用include\\timings.xls的excel工作表来生成。然后在advance options下面的View Config file中修改相应的位置。存盘后,在相应的目录下运行buildall.bat就可以完成修改了。
3、对于TMS320LF240XA系列,还要注意：由于这些DSP的FLASH具有加密功能,加密地址为程序空间的0x40-0X43H,程序禁止写入此空间,如果写了,此空间的数据被认为是加密位,断电后进入保护FLASH状态,使FLASH不可重新操作,从而使DSP报废,烧写完毕后一定要进行Program passwords的操作,如果不做加密操作就默认最后一次写入加密位的数据作为密码。
4、2407A不能用DOS下的烧写软件烧写,必须用c2000flashprogsw_v112软件烧写;
5、建议如下：
1)、一般调试时,在RAM中进行;
2)、程序烧写时,避开程序空间0x40-0x43H加密区,程序最好小于32k;
3)、每次程序烧写完后,将word0,word1,word2,word3分别输入自己的密码,再点击 Program password,如果加密成功,提示Program is arrayed,如果0x40－0x43h中写入的是ffff,认为处于调试状态,flash不会加密;
4)、断电后,下次重新烧写时需要往word0～word3输入已设的密码,再unlock,成功后可以重新烧写了;
6、VCPP管脚接在＋5V上,是应直接接的,中间不要加电阻。
7、具体事宜请阅读相应目录下的readme1,readme2帮助文件。
8.注意*.cmd文件的编写时应该避开40-43H单元,好多客户由于没有注意到这里而把FALSH加密。
硬件环境：
DSP：TMS320VC5416PGE160
FLASH：SST39VF400A-70-4C-EK 都是贴片的,FLASH映射在DSP数据空间的0x8000-0xFFFF
软件环境： CCS v2.12.01
主程序（要烧入FLASH的程序）： DEBUG版,程序占用空间0x28000-0x2FFFF（片内SARAM）,中断向量表在0x0080-0x00FF（片内DARAM）,数据空间使用0x0100-0x7FFF（片内DARAM）。 因为FLASH是贴片的,所以需要自己编一个数据搬移程序,把要主程序搬移到FLASH中。在写入FLASH数据时,还应写入引导表的格式数据。最后在数据空间的0xFFFF处写入引导表的起始地址（这里为0x8000）。
搬移程序： DEBUG版,程序空间0x38000-0x3FFFF（片内SARAM）,中断向量表在0x7800-0x78FF（片内DARAM）,数据空间使用0x5000-0x77FF（片内DARAM）。 搬移程序不能使用与主程序的程序空间和中断向量表重合的物理空间,以免覆盖。 烧写时,同时打开主程序和搬移程序的PROJECT,先LOAD主程序,再LOAD搬移程序,然后执行搬移程序,烧写OK! 附：搬移程序（仅供参考）
volatile unsigned int *pTemp=(unsigned int *)0x7e00; unsigned int iFlashAddr;
int iLoop;
iFlashAddr=0x8000;
WriteFlash(iFlashAddr,0x10aa);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x7e00);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x8006);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x0002);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x8085);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x7f00);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x0002);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x8000);
iFlashAddr++;
for (iLoop=0;iLoop<0x7f00;iLoop++)
{
asm(" pshm al");
asm(" pshm ah");
asm(" rsbx cpl");
asm(" ld #00fch,dp");
asm(" stm #0000h, ah");
asm(" MVDM _iLoop, al");
asm(" add #2800h,4,a");
asm(" reada 0h");
asm(" popm ah");
asm(" popm al");
asm(" ssbx cpl");
WriteFlash(iFlashAddr,*pTemp);
iFlashAddr++; }
WriteFlash(iFlashAddr,0x0080);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x0000);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x0080);
iFlashAddr++;
for (iLoop=0;iLoop<0x0080;iLoop++) {
asm(" pshm al");
asm(" pshm ah");
asm(" rsbx cpl");
asm(" ld #00fch,dp");
asm(" stm #0000h, ah");
asm(" MVDM _iLoop, al");
asm(" add #0080h,0,a");
asm(" reada 0h");
asm(" popm ah");
asm(" popm al");
asm(" ssbx cpl");
WriteFlash(iFlashAddr,*pTemp);
iFlashAddr++;
}
WriteFlash(iFlashAddr,0x0000);
iFlashAddr++;
WriteFlash(iFlashAddr,0x0000);
iFlashAddr=0xffff;
WriteFlash(iFlashAddr,0x8000); |
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