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微弱信号前置放大用什么芯片好?

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sdu_yqc|  楼主 | 2011-7-9 11:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
电子write_cai| | 2011-7-9 11:06 | 只看该作者
op07,你输入的信号多大?

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sdu_yqc|  楼主 | 2011-7-9 11:20 | 只看该作者
2# 电子write_cai 5 mV

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地板
电子write_cai| | 2011-7-9 11:24 | 只看该作者
op07可以满足,它的失调电压是uv级别的。

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5
zjp8683463| | 2011-7-9 11:24 | 只看该作者
10k,5mV放大100倍就是1M  GBW

需要GBW 10M以上的运放

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6
lttian| | 2011-7-9 13:19 | 只看该作者
单电源还是双电源?放大倍数多少?
我们经常用的是轨到轨运放,输出动态范围会大些。

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7
zhaolipingyy| | 2011-7-9 14:42 | 只看该作者
信号是什么样的?你列出来的三款,NE5532是最好的

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8
sdu_yqc|  楼主 | 2011-7-9 14:42 | 只看该作者
7# lttian 单双电源都行,放大倍数没什么固定要求,比如10~20.
轨到轨的就是指CMOS运放吗?哪些是轨到轨的运放啊?对,我还要进行AD转换,是不是必须用轨到轨的来保持动态范围呢?

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9
sdu_yqc|  楼主 | 2011-7-9 15:11 | 只看该作者
本帖最后由 sdu_yqc 于 2011-7-9 15:26 编辑

8# zhaolipingyy 就是通过MIC输入的信号……查到部分参数

LM324:
输入失调电压2mV,温度漂移7uV/℃,偏执电流200nA,消耗电流450uA,电压增益100dB,增益带宽积GB=1MHz,功耗570mW.
NE5532:
输入失调电压500uV,温度漂移5uV/℃,偏执电流45nA,消耗电流8mA,增益带宽积GB=10MHz,功耗1000mW.转换速率9V/us
TL084:
输入失调电压3mV,温度漂移10uV/℃,增益带宽积4MHz
不知道哪个参数更重要,意义是什么……

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10
sdu_yqc|  楼主 | 2011-7-9 15:35 | 只看该作者
5# zjp8683463 为什么需要GBW 10M以上?1M以上不行吗

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11
sdu_yqc|  楼主 | 2011-7-9 15:39 | 只看该作者
4# 电子write_cai op07的增益带宽积为0.6M,故放大倍数最大也就60倍。

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12
zjp8683463| | 2011-7-9 17:52 | 只看该作者
1M无法构成深度负反馈.

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13
lttian| | 2011-7-9 18:34 | 只看该作者
AD转换的话,把5mV信号放大10~20倍不够用的吧,至少要把信号放大到V量级,否则转换噪声会很大。
轨到轨运放你可以参考这个:http://hi.baidu.com/xinxin827/bl ... 015a19972b4332.html

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14
sdu_yqc|  楼主 | 2011-7-9 20:33 | 只看该作者
13# zjp8683463 为什么无法构成深度负反馈啊?模电基础太差了,谢谢指教

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鸟鸟| | 2011-7-9 21:15 | 只看该作者
高频增益不够

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