三极管的伏安特性曲线中，书上说当Uce>0且数值较小时，集电结的正偏电压随Uce增大而减小。为什么？集电结怎么会有正偏电压？此时三极管的电路图怎样的？基极和发射极，基极和集电极之间到底有没有电压源？正偏还是反偏？
书上接着说，此时集电结处于弱反偏状态，对注入基区的自由电子的作用力相应增强，使部分电子流向集电区，电子在基区复合的机会减少，使Ib减少。
可是我觉得，既然此时集电结处于反偏，基区有存在着大量从发射区漂移过来的电子，在反偏电压作用下应该是抑制漂移到基区的电子通过集电结，反而使大量的电子留在基区，有更多的机会和基区的多子空穴复合。此时Ib的复合电流Inb增加，Ib应该增加啊？我的理解到底哪里有问题？ |
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