本帖最后由 reayfei 于 2011-7-10 22:19 编辑
①过电压产生的原因
对于IGBT开关速度较高，IGBT关断时及FWD逆向恢复时，产生很高的di/dt，由于模块周围的接线的电感，就产生了Ldi/dt电压（关断浪涌电压）。
为了能观测关断浪涌电压的简单电路的图6中，以斩波电路为例，在图7中示出了IGBT关断时的动作波形。
关断浪涌电压，因IGBT关断时，主电路电流急剧变化，在主电路分布电感上，就会产生较高的电压。关断浪涌电压的峰值可用下式求出：
VCESP=Ed＋(-L dIc/dt)
式中dlc/dt为关断时的集电极电流变化率的最大值； VCESP为超过IGBT的C-E间耐压(VCES)以至损坏时的电压值。
②过电压抑制方法
作为过电压产生主要因素的关断浪涌电压的抑制方法有如下几种：
1.在IGBT中装有保护电路（=缓冲电路）可吸浪涌电压。缓冲电路的电容，采用薄膜电容，并靠 近 IGBT配置，可使高频浪涌电压旁路。
2.调整IGBT的驱动电路的VCE或RC，使di/dt最小。
3.尽量将电件电容靠近IGBT安装，以减小分布电感，采用低阻抗型的电容效果更佳。
4.为降低主电路及缓冲电路的分布电感，接线越短越粗越好，用铜片作接线效果更佳。 |
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